GaN薄膜大型Ⅴ形表面坑的形成和光学性质.pdf

第卷第期材料研究学报..
年月
薄膜大型形表面坑的形成和光学性质木
高志远段焕涛郝跃李培咸张金凤
西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安
摘要研究了用设备在高温和低/条件下生长的薄膜表面存在的与位错相连的大型形表面坑,并
提出了一个有关质量疏运机制的模型以解释其形成机理. 由衬底扩散上出来的原子对大型坑的形成具有辅助作用,并阻止了
深能级杂质或空位缀饰与坑相连的位错. 内的位错是非辐射复合中心,但对深能级发光不起作用.
关键词无机非金属材料,半导体材料,缺陷,材料表征,表面坑
分类号, 文章编号——


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国家重点基础研究发展计划和资助项
;年月日收到修改稿,,,
本文联系人:高志远
6 5 8 材料研究学报 2 2 卷
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