Cu掺杂GaN基稀磁半导体的第一性原理研究.pdf

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的学位论文《厶捣圳稻,镶钳狮睇闵萄偷尽罚窃诨6《∞携禾厶∥￡犏为数将铸殄雾。临砖鸪砷移本人签名杨劳加年岁月,多日华东师范大学学位论文原创性声明华东师范大学学位论文著作权使用声明日期:,适用上述授权。,本论文的研究成果归华东师范大学所有。本牍囱学位期问,在导师的指导下进行的研究工作及取得的研究成的内容外,奉论文不包含其他个人已经发表或撰写过的研究成果。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体,均己在文中作了明确说明并表示谢意。作者签名:》系本人在华东师范大学攻读学位期间人同意华东师范大学根据相关规定保留和使用此学位论文,并向主管部门和相关机构如同家图书馆、中信所和“知网”送交学位论文的印刷版和电子版;允许学位论文进入华东师范大学图书馆及数据库被查阅、借阅;同意学校将学位论文加入全国博上、硕士学位论文共建单位数据库进行检索,将学位论文的标题和摘要汇编出版,采用影印、缩印或者其它方式合理复制学位论文。“内部”或“涉密”学位论文木,于年日解密,解密后适用上述授权。郑重声明师范大学攻读果。除文中已月导师签名毒“涉密”学位论文应是已经华东师范大学学位评定委员会办公室或保密委员会审定过的学位论文韪交衽摹痘6Ψ洞笱а芯可昵胙宦畚摹吧婷堋鄙笈怼贩轿S行,未经上述部门审定的学位论文均为公开学位论文。此声明栏不填写的,默认为公开学位论文,均适用上述授权
拯茎硕士学位论文答辩委员会成员名单姓职称单位备褚君浩研究员华东师范大学信息科学技术学院薛永祺中
摘要性。对于掺杂浓度为.%的—ü扑闾逑档牡缱咏峁狗治銎浯判云鹪矗稀磁半导体材料可以同时利用电子的电荷和自旋这两个自由度作为信息载体,是自旋电子器件的关键材料,拥有广阔的应用前景。目前稀磁半导体材料面临的两个关键问题是磁性的产生机理和寻找高居里温度的稀磁半导体材料。宽禁带氮化物半导体且恢掷想的稀磁半导体材料。本论文采用基于密度泛函理论牡谝恍栽矸椒ǎ扑懔计算,研究了掺杂逑档拇判砸约熬永镂露取V饕Q芯拷峁缦拢磁矩分布,结果表明,原子和又浯嬖谔判蝰詈希沟锰逑稻哂忻飨缘奶原子的缱庸斓篮徒诘腘原子的缱庸斓涝踊孕换慌眩珻斓磁性,得到其居里温度鍯粼优ǘ燃翱昭ㄔ亓髯用芏缺浠暮叵怠=峁允痉磁性的粼拥腉能具有室温铁磁性。计算表明这一系统的铁磁性可以通过控制掺杂浓度及空穴载流子密度来调控,且预测的体系居里温度与实验结果基本一致。总之,第一性原理计算结果表明:掺杂斫氲继寰哂忻飨缘奶判裕铁磁性与掺杂浓度和空穴载流子密度相关,可以通过调节掺杂浓度和空穴载流子密度提高关键词:稀磁半导体、掺杂、⒌谝恍栽掺杂逑档牡缱咏峁共⒎治銎涮判云鹪础@玫谝恍栽斫岷掀骄±砺鄯椒首先,采用基于密度泛函理论牡谝恍栽矸椒ǎ扑懔薈粼覩体系的被部分占据,因而具有净磁矩。其次,利用第一性原理结合平均场理论,研究了掺杂的逑抵锌昭ㄔ亓髯雍掺杂原子的—换蛔饔靡约癈狢涞闹苯咏换蛔饔茫扑懔颂逑涤胛露认喙氐居里温度。