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高频大功率 VDMOS 场效应晶体管
郎秀兰刘英坤王占利
电子十三所河北石家庄
摘要采用栅工艺技术和沟道增强型结构研制出了在脉宽占空
Mo n VDMOS 95~105MHz , PW=50ms,
比的条件下输出功率共源结构输出功率达的高性能
DF=5% P O 600W 600 W VDMOSFET
关键词高频高功率 Mo 栅工艺 V D M OS F E T
中图分类号 文献标识码 A 文章编号 1003-353(2001)01-0034-03
High frequency high power VDMOSFET
LANG Xiu-lan, LIU Ying-kun, WANG Zhan-li
(The 13th Research Institute, Ministry of II, Shijiazhuang 050051, China)
Abstract: A high performance, high power VDMOSFET has been developed by Mo gate and n-
channel enhancement vertical double-diffused technologies. The device can deliver output power of
600W at 95 to 105 MHz, PW=50ms DF=5% in mon source push-pull configuration.
Keywords: high frequency; high Power; Mo gate technology; VDMOSFET
高 f 和减小寄生参数采用 n 沟道增强型 VDMOS
1 引言 t
结构较高的对位精度减小寄生参量< 1 0 0 > 晶
VDMOS 场效应晶体管由于具有输入阻抗高向加强工艺质量控制提高载流子迁移率选取合
负温度系数易于并联输出大功率[1] 在低频段逐渐适的材料沟道长度和栅氧化层厚度采用Mo金属
成为功率器件发展的主流国外许多大公司竞相栅电极减小栅电阻提高晶体管的频率性能
开发研制并推出系列化的产品在大功率方面
输出功率
代表最高水平的是Motorola公司的产品MRF157
MOSFET 的最大输出功率可以近似表示为
该器件在 80MHz 时连续波输出功率 600W 国
-
内由于设备原材料工艺水平等方面的限制 POmax=1/2 Imax(VDD Vsat) (1)
提高输出功率的主要途径是增大和
高频功率VDMOSFET的研制和生产水平与国外差 I m ax V DD
并减小和热阻提高主要是增加栅宽优
距较大本文介绍我们所研制的VDMOS场效应晶 Vsat Imax Z,
体管采用难熔金属 Mo 作栅电极共源平衡推化确定材料参数以得到最大电流能力和击穿电压
挽结构在的 V 是等效射频饱和压降减小 V 是通过提高频
95 105MHz PW =50ms D F=5% sat sat
率性能和减小直流导通电阻来实现
条件下实现了脉冲输出功率 600W Ron
L 的选取
2 器件设计与制造 G
为提高频率性能和输出