硅纳米线阵列磁控溅射镍膜上化学气相沉积cvd石墨烯研究.pdf

密级:——论文题目刘建麴授研究方向:石墨燧学号:研究生:延佳指导教师:专业:物理学年分类号:学校代码:编号:
指导教师签名:缯/学位论文作者签名:二逝学位论文作者虢建期:驰季:垒雏西期:丝ィ河憷墼多冶ィ夯噬荷本人声明:所呈交的学位论文是本人在导师的指导下进行的研究工作及取得的研究成果。含为获得内蒙古大学及其他教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对原创性声明除本文己经注明引用的内容外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包本研究所做的任何贡献均己在论文中作了明确的说明并表示谢意。日在学期间研究成果使用承诺书本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定,即:内蒙古大学有权将学位论文的全部内容或部分保留并向国家有关机构、部门送交学位论文的复印件和磁盘,允许编入有关数据库进行检索,也可以采用影印、缩印或其他复制手段保存、汇编学位论文。为保护学院和导师的知识产权,作者在学期间取得的研究成果属于内蒙古大学。作者今后使用涉及在学期间主要研究内容或研究成果,须征得内蒙古大学就读期间导师的同意;若用于发表论文,版权单位必须署名为内蒙古大学方可投稿或公开发表。期:指导教师签名:
硅纳米线阵列磁控溅射镍膜上化学气相沉积┑难芯摘要石墨烯这种六角蜂窝状结构的二维材料,因其高速的电子迁移率、高度的透光性、超常的比表面积以及半整数的量子霍尔效应等一系列性质,使得它在晶体管、传感器、超级电容、储氢材料等很多领域都有广阔的应用前景,化学气相沉积ㄖ票甘┮丫晌D壳安捎媒隙嗟姆椒ǎ獵生长石墨烯的机制迄今还没有完全弄清。硅纳米线阵列除具有半导体所具有的特殊性质,还显示不同于体硅材料的物理性质,如:场发射、热导率、可见光致发光等,是近年来半导体界的“希望之星’’。但用硅纳米线阵列作基底,磁控溅射镍膜ㄖ票甘┠壳盎没有相关研究报道,本文为探究石墨烯生长机制、研究影响石墨烯生长的条件以及探索硅纳米线阵列与石墨烯结合所产生的新现象,做了如下工作:褂媚魑Iせ祝捎肅法成功制备出高质量均匀的双层石墨烯,并研究了生长时间对石墨烯生长的影响,同时,还得出结论:镍表面沉积石墨烯同时具有渗入析出和表面催化两种生长机制。褂么趴亟ι淠さ墓枳魑;祝珻法制备石墨烯,研究了衬底厚度对石墨烯生长的影响。另外,与磁控溅射铜膜生长的石墨烯对比,得出:使用乙炔为碳源生长石墨烯时,比更适合作催化剂。状问褂檬7ɑЭ淌吹墓枘擅紫哒罅凶魑=ι浠祝趴亟ι銷ぃㄉな┍∧ぁ7⑾衷诖嘶咨辖闲『穸腘ひ部芍票出相对质量较高的石墨烯薄膜,体现了硅纳米线阵列作为全新的石墨烯生长基底的优越性。另外,通过减小磁控溅射膜的厚度,可制备出特定图案或花纹
关键词:石墨烯:硅纳米线阵列:湿法化学刻蚀:化学气相沉积的石墨烯薄膜,有利于石墨烯的精细生长和加工。而增加膜的厚度和减小硅纳米线之间的间隔,可以制备连续的石墨烯薄膜。连接硅纳米线间的空隙,可应用在显示器、疤裟艿绯氐裙獾绮牧仙稀总之,硅纳米线阵列和石墨烯的结合可能为半导体产业带来变革,因此值得进一步研究和探索。囱鬈直盔堂硒±堂焦论塞
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§本论文研究的内容⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯第二章石墨烯ㄖ票讣氨碚鳌系统⋯⋯⋯⋯⋯⋯§石墨烯笛楣獭§拉曼光谱表征石墨烯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..§扫描电子显微镜表征石墨烯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..§实验过程⋯⋯⋯.⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..第一章绪论⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.§石墨烯的结构与基本性质⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯...§石墨烯制备方法研究进展⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..§石墨烯在上的生长机制⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.第三章在镍箔表面じ咧柿烤人ú闶§结果与讨论⋯⋯⋯⋯⋯..⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..§生长石墨烯的冷壁腔化学气相沉积獁凼墓古太堂硇±堂焦论塞
第四章磁控溅射金属ㄉな§磁控溅射铜基底上な§结果与讨论⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.第五章硅纳米线阵列溅射镍膜ㄉな§硅纳米线阵列溅射镍膜ㄉな┦笛楣獭§小结⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..⋯⋯⋯⋯..参考文献⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯致洹硕士期间发表学术论文⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯§磁控溅射镍基底上な捌渲票阜椒ā§硅纳米线阵列订凼苤古厶堂亟±堂僮论塞
争潦”。渣谚凇荨荀鱌’净。.:谚第一章绪论§引言碳元素是地球上一切生物有机体的骨架元素,是生命的基本单元。众所周知,碳材料家豲;猤缸&~~~&族里包含零维富勒烯、一维碳纳米