2013年9月电镀与精饰第35卷第9期(总246期) ·9· doi:.1001- Ag-Cu20复合薄膜的制备及其光催化活性史敬,魏守强(沈阳理工大学环境与化学工程学院,辽宁沈阳 110159) 摘要:先采用阴极电沉积,在导电玻璃基体上合成CuO薄膜,然后以AgNO为反应溶液,。利用x-射线衍射仪、扫描电子显微镜和能谱仪进行了表征。以光催化降解甲基橙为探针反应,测试光催化活性。结果表明,A暑一Cu0复合薄膜的光催化活性和单一的Cu0相比有了显著提高。并对Ag-Cu0薄膜光催化活性提高的原因进行了讨论。关键词:一Cu,0复合薄膜;光催化;阴极电沉积中图分类号: 文献标识码:A PreparationandPh0t0catalyticActivity ofAg-positeFilm SHIJing,WEIShou—qiang (CollegeofEnvironmentalandChemicalEngineering,ShenyangLigongUniversity,Shenyang110159, China) Abstract:Ag-positefilmwaspreparedbyusingcathodicelectrodepositionofCu2Oonconduc— tingglasssubstrate~ withX—raydiffraction,scanningelectronmicroscopeandenergydispersiveX—— tocatalyticactivityofAg—positefilmwasevaluatedbyusingmethylorangephotocatalyticdegra— —positefilm activitywasalsodiscussed. Keywords:Ag—positefilm;photocatalytic;cathodicelectrodeposition 引言近年来,半导体光催化技术得到了快速的发展。在该领域的研究中,TiO:因其光催化能力强, 无毒,且简便易得,成本低廉,一直受到人们的高度关注 J。但由于其禁带宽度较宽(),只能吸收波长较短的紫外光,太阳光的利用效率很低。 Cu:O作为窄禁带半导体光催化剂的一种(), 因其响应波长范围在可见光区而倍受青睐。但是由于其导带上的光生电子(e一)和价带上的空穴收稿日期:2012—09—10 修回日期:2012— (h)复合率较高,导致其光催化活性较低。通过半导体复合。和贵金属修饰等手段可以改善其光催化活性。由于Ag相对价廉易得,毒性小且具有杀菌作用,因此利用Ag改性提高半
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