脉冲激光沉积技术制备Ba,2FeMoO,6薄膜及电磁性质研究.pdf

济南大学
硕士学位论文
脉冲激光沉积技术制备Ba<,2>FeMoO<,6>薄膜及电磁性质研究
姓名:陈康
申请学位级别:硕士
专业:光学
指导教师:张仲
20090518
摘要双钙钛矿氧化物环⑾志哂惺椅碌统〈诺缱栊вΓ蚨皇游W钣可能在室温下使用的磁电阻材料,其磁电阻效应在大密度磁记录、传感器开关等领域的诱人前景及其物理上的深刻内涵成为当前材料学领域研究的热点。近年来由于磁电阻行为优异的双钙钛矿材料薄膜化就具有十分重要的研究意义和应用价值。双尤其是制备薄膜所选取的衬底、薄膜制备的温度及薄膜厚度等条件影响,双钙钛矿的电磁性能表现出很大的差异。基于此认识,本论文采用脉冲激光技术在蚅诓煌露认拢票噶瞬煌穸鹊乃ǜ祁芽驜薄膜,并且测量了薄膜的电磁性质,以期望研究得出∧ず鲜实纳ぬ件,同时发现衬底、生长温度和薄膜厚度,对电磁性质的影响,并对该影响进行解释。本论文的主要研究内容如下:⒉捎萌芙阂荒悍ㄖ票噶薆材料的陶瓷靶材,通过湎咄佳明为单相的双钙钛矿结构;首次用脉冲激光沉积技术制备了双钙钛矿℃下生长了厚度为腂薄膜,湎卟馐员砻鳎珺薄膜原因可能是因为衬底和∧さ木Ц袷湟鸬摹T诓煌牡撞煌の情况下,温度对不同晶面的影响是不一样的;,沿衬底晶向取向生长的和苌浞逯鸾ピ銮浚砻髟谙嗤露认嗤牡椎奶件下,随着薄膜的生长,系统的晶格匹配程度提高,较厚的薄膜质量较高。⑼ü恿ο晕⒕当碚鰾薄膜的表面形态,薄膜表面起伏比较大,薄膜技术的发展,使在较低温度下沉积高质量的外延或择优取向的薄膜成为可能。对于磁性材料的应用要求提出薄膜化、小型化和高集成度,在这种研究背景下,对钙钛矿薄膜电磁性质是研究该材料的重要内容之一。由于制各技术和工艺的差别,薄膜,在蚅牡咨戏直鹪℃、婧基本沿衬底晶向取向生长,但是也有一定几率生长出衍射峰,度下,生长出的∧さ难苌浞迩慷扔忻飨员浠得髟诔粱俾氏嗤原因是采用高真空镀膜影响了薄膜表面的平整度,在衬底上生长的济南大学硕十学位论文
岛屿模式生长比较严重,表面平整度低于在衬底上面生长的膜。⒉饬克票傅腂薄膜的瓾曲线,通过计算得到每分子饱和磁矩,在相同衬底不同温度下生长的同厚度∧ぃ浔ズ痛啪匕樗嫖露鹊纳而增大,原因可能是在高温下∧ば纬闪私仙俚姆次蝗毕荩次蝗毕莸减少使薄膜的饱和磁矩增大;在相同衬底相同温度下,∧さ谋ズ痛啪伴随温度的升高而下降,根据薄膜的表面形态观察,薄膜生长不均匀,伴随薄膜厚度的增加,表面应力逐渐增大,使其饱和磁矩下降;在相同温度,不同衬底,不同晶向生长的相同厚度的∧ぃ浔ズ痛啪氐谋浠牵赟在衬底形成的反位缺陷,笥贚大于但是该推测仍需进一步实验验证。化很大,靶材电阻率表明,块状牧衔=鹗粜裕こ龅谋∧さ缧灾食现变化,并非完全表现为金属性。蟹衙啄芗洞τ孕蛏虾妥孕向下的分裂状态,这导致了奶判院徒鹗粜裕芗睹挥斜徽季荩在离子自旋之间双倍的反铁磁性导致了绝缘性质,让占据状态绝缘性质关键词:双钙钛矿;罕∧ぃ坏绱判灾剩宦龀寮す∧こ鱿痔跷菩涂斩矗砻髟诟贸牡咨仙薄膜的过程中,衬底上生长的大于在仙さ拇笥谠贚,推测原因是,测量了各薄膜材料的电阻率,在不同衬底上生长的∧さ牡缱杪时就消失了,表现为金属性。脉冲激光沉积技术制备。薄膜及看判灾恃芯
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论文作者签名:监导师签名:型筮尘掌冢:羔:兰垆&燕期:垄垒篁:丝原创性声明关于学位论文使用授权的声明本人郑重声明:所呈交的学位论文,是本人在导师的指导下,独立进行研究所取得的成果。除文中已经注明引用的内容外,本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的科研成果。对本文的研究作出重要贡献的个人和集体,均已在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律责任由本人承担。论文作者签名:本人完全了解济南大学有关保留、使用学位论文的规定,同意学校保留或向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版,允许论文被查阅和借鉴;本人授权济南大学可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或其他复制手段保存论文和汇编本学位论文。C苈畚脑诮饷芎笥ψ袷卮斯娑
第一章绪论课题的背景、目的和意义从上个世纪五十年代开始,人们便开始了对钙钛矿型氧化物的结构特征、电磁性质等方面的探索和研究。当时由于人们对这种材料的应用领域不是很明朗,这类材料并没有引起人们的关注。一直到了上个世纪九十年代,在钙钛矿卜一盗小緇】中发现特大磁电阻效应螅涮厥獾男阅艽偈谷嗣强J级该类型材料进行细致、深入的研究。作为和钙钛矿型氧化物紧密相关的一族,通过几十年的研究,双钙钛矿材料已经成为当前国际上备受关注的磁性材料,其庞磁电阻вυ