中国集成电路产业技术水平现状分析.docx

中现状分析
 
   
 
 
 
 
 
 
 
     
 
 
 
 
 
    
        在“十二五”期间，我明显提升，技术创新的步伐不断加快，技术创新的业绩不断涌现。
 
　　(一)IC设计业的技术水平。2015年我已进入40-28nm技术节点，技术先进的设计企业已经进入16/14nm技术节点。当前我国集成电路设计产品已涵盖移动通信、计算机、多媒体、导航、模拟、功率和消费类电子等8大领域。在移动通信领域，基带芯片射频芯片、应用处理器(APU)实现规模化销售，有力支撑我国移动通信终端产品的发展。在信息安全领域，商用加密模块已应用于SIM卡、二代身份证、社保卡、金融IC卡、U盘等产品领域;MEMS传感器、嵌入式SoC芯片、无线传输芯片等在监控系统、可穿戴设备、智能家居等领域得到了广泛的应用;通用微处理器及存储器也已经小批量生产。
　　(二)芯片制造工艺技术。在“十二五”期间，我国集成电路先进制造工艺、特色工艺技术研发和产业化都取得了一系列显著进展。12英寸生产线的65/55nm、45/40nm、32/28nm制程技术都已实现量产，20/14nm先进工艺技术已开展研发，各种工艺模块和各种IP核数量正在不断增加。
　　中芯国际、华虹宏力、华润微电子等8英寸生产线在嵌入式闪存、BCD工艺、GeSiBiCMOS、LDMOS、高压IGBT、SOI、CMOS图像传感器(CIS)、MEMS等特色工艺已经可以为国内外客户进行代工。
　　(三)封装测试技术。目前以球栅阵列(BGA)技术为标志的先进封装技术已约占25%的市场份额。我国集成电路封装技术中，BGA、PGA、倒装焊(Flipchip)、晶圆级封装(WLP)、芯片级封装(CSP)、金属凸点技术(Bumping)、，系统集成(SiP)产品的比例逐年增长，3D封装技术以及其他新型封装技术也已经开展研发。
　　(四)半导体设备材料。在“十二五”期间，我国12英寸半导体设备实现了从无到有的突破，部分设备水平达到28-14nm水平，多种设备通过了大生产线的验证考核。
　　到2015年底，已有16种12英寸设备进入大生产线使用。国产12英寸介质刻蚀机、硅刻蚀机、
PVD(物理气相沉积设备)、离子注入机、PECVD(等离子体增强型化学气相沉积系统)、立式氧化炉、先进封装光刻机、TSV(硅通孔)刻蚀机、LED外延炉、晶圆兆声波清洗设备等已实现销售，Low-K清洗机、光学工艺检测设备等设备进入用户芯片制造现场考核。
　　多种集成电路用关键材料，不但自主研制成功