电磁兼容屏蔽.ppt

杨继深 2002 年8月第三章电磁屏蔽技术屏蔽材料的选择实际屏蔽体的设计杨继深 2002 年8月电磁屏蔽屏蔽前的场强 E1 屏蔽后的场强 E2 对电磁波产生衰减的作用就是电磁屏蔽,电磁屏蔽作用的大小用屏蔽效能度量: SE = 20 lg ( E1/ E2 ) dB 杨继深 2002 年8月实心材料屏蔽效能的计算入射波场强距离吸收损耗 A R1 R2 SE = R1 + R2 + A+B = R+ A+B B 杨继深 2002 年8月吸收损耗的计算 t 入射电磁波 E0剩余电磁波 E1 E1 = E0e-t/ ? A = 20 lg ( E0 / E1 ) = 20 lg ( e t / ? ) dB ? A = ( t / ? ) dB A = t ? f ?r? r dB 杨继深 2002 年8月趋肤深度举例杨继深 2002 年8月反射损耗 R = 20 lg ZW 4 Zs 反射损耗与波阻抗有关,波阻抗越高,则反射损耗越大。 ZS = ? 10-7 ? f ? r/?r 远场: 377 ?近场:取决于源的阻抗同一种材料的阻抗随频率变杨继深 2002 年8月不同电磁波的反射损耗远场: R = 20 lg 377 4 Zs 4500 Zs = 屏蔽体阻抗, D = 屏蔽体到源的距离( m) f = 电磁波的频率( MHz ) 2 D f D f Zs Zs 电场: R = 20 lg 磁场: R = 20 lg dB 杨继深 2002 年8月影响反射损耗的因素 150 1k 10k 100k 1M 10M 100M 平面波 3? 108 / 2?r f R(dB) r = 30 m 电场 r = 1 m 靠近辐射源 r = 30 m 磁场 r = 1 m 靠近辐射源杨继深 2002 年8月综合屏蔽效能( 铝板) 150 250 平面波 0 1k 10k 100k 1M 10M 高频时电磁波种类的影响很小电场波 r = m 磁场波 r = m 屏蔽效能(dB )频率杨继深 2002 年8月多次反射修正因子的计算电磁波在屏蔽体内多次反射,会引起附加的电磁泄漏,因此要对前面的计算进行修正。 B = 20 lg ( 1 - e -2 t / ?) 说明: B为负值,其作用是减小屏蔽效能当趋肤深度与屏蔽体的厚度相当时,可以忽略对于电场波,可以忽略