电磁兼容屏蔽杨继深2002年8月电磁屏蔽屏蔽前的场强E1屏蔽后的场强E2对电磁波产生衰减的作用就是电磁屏蔽,电磁屏蔽作用的大小用屏蔽效能度量:SE=20lg(E1/E2)dB杨继深2002年8月实心材料屏蔽效能的计算入射波场强距离吸收损耗AR1R2SE=R1+R2+A+B=R+A+BB杨继深2002年8月吸收损耗的计算t入射电磁波E0剩余电磁波E1E1=E0e-t/A=20lg(E0/E1)=20lg(et/)A=(t/)dBA=frrdB杨继深2002年8月趋肤深度举例杨继深2002年8月反射损耗R=20lgZW4Zs反射损耗与波阻抗有关,波阻抗越高,则反射损耗越大。ZS=10-7fr/r远场:377近场:取决于源的阻抗同一种材料的阻抗随频率变杨继深2002年8月不同电磁波的反射损耗远场:R=20lg3774Zs4500Zs=屏蔽体阻抗,D=屏蔽体到源的距离(m)f=电磁波的频率(MHz)2DfDfZsZs电场:R=20lg磁场:R=108/2rfR(dB)r=30m电场r=1m靠近辐射源r=30m磁场r=1m靠近辐射源杨继深2002年8月综合屏蔽效能()==(dB)频率杨继深2002年8月多次反射修正因子的计算电磁波在屏蔽体内多次反射,会引起附加的电磁泄漏,因此要对前面的计算进行修正。B=20lg(1-e-2t/)说明:B为负值,其作用是减小屏蔽效能当趋肤深度与屏蔽体的厚度相当时,可以忽略对于电场波,可以忽略杨继深2002年8月
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