溅射时间对磁控溅射V2O5离子储存薄膜结构与性能的影响.pdf

研究与综述
溅射时间对磁控溅射V2O5
离子储存簿膜结构与性能的影响
付亚东1 刘鉴宁2 刘红英2 张远洋2 张得全1 梁小平2
（回． 天津耀皮工程玻璃有限公司 天津 300409；
2． 天津工业大学材料科学与工程学院 天津 300387）
摘 要 在ITO玻璃基体上采用磁控溅射法制备用于电致变色玻璃的V2O5离子储存薄膜，重点研究了溅射时间（2－5 h）对
V2O5薄膜结构与性能的影响。研究结果表明：随着溅射时间延长，V2O5薄膜的厚度随着溅射时间延长而增厚，透过率随着
2
厚度增加而呈现降低趋势；溅射4－5 h下制备的V2O5薄膜离子储量高于20 iC／ci 。综合考虑离子储存量和可见光透过率，磁
控溅射法制备离子储存V2O5薄膜的溅射时间控制为4 h为宜。
关键词 磁控溅射，离子储存薄膜，V2O5，溅射时间，透过率
中图分类号：O646 文献标识码：A 文章编号：1003－1987（2021）04－0021－05
Effects of Sputtering Time on the Structure and Properties
of V205 Ion Storage Film Prepared by Magnetron Sputtering
FU Yadong1, LIU Jianning2, LIU Hongying2, ZHANG Yuanyang2, ZHANG Deguan1, LIANG Xiaoping2
（1. Tianjin SYP Engineering Glass Co., Ltd., Tianjin 300409, China；
2. School of Materials Science and Engineering, Tiangong University, Tianjin 300387, China）
Abstract: V2O5 ion storage films Were prapared by magnetron sputtering on ITO glass substrate, and the
effect of sputtering time (2-5 h) on the structure and properties of V2O5 film Was mainly studied. The results
shoW that With the increase of sputtering time, the thickness of the film is increa