元器件降额使用参考.doc

. 元器件降额使用参考一、集成电路因为集成电路的复杂性和保密性,一般我们只能根据半导体结温来推断集成电路的可靠性了。我们通常规定: 1 ,最大工作电压,不超过额定电压 80% 2 ,最大输出电流,不超过额定电流 75% 3 ,结温,最大 85 摄氏度,或不超过额定最高结温的 80% 二、二极管二极管种类繁多,特性不一。故而,有通用要求,也有特别要求: 通用要求: 长期反向电压<70% ~ 90% ×V RRM (最大可重复反向电压) 最大峰值反向电压<90% ×V RRM 正向平均电流<70% ~ 90% × 额定值正向峰值电流<75% ~ 85% ×I FRM 正向可重复峰值电流对于工作结温,不同的二极管要求略有区别: 信号二极管< 85~ 150 ℃玻璃钝化二极管< 85~ 150 ℃整流二极管和快恢复、超快恢复二极管( <1000V ) <85 ~ 125 ℃整流二极管和快恢复、超快恢复二极管( ≥ 1000V ) <85 ~ 115 ℃肖特基二极管< 85~ 115 ℃稳压二极管( < ) <85 ~ 125 ℃稳压二极管( ≥ ) <85 ~ 100 ℃ T case( 外壳温度)≤ ×T jmax -2 ×θ jc×P,2 ×θ jc× P<15 ℃,θ jc 是从结到壳的热阻, P 是功率损耗。这是一个可供参考的经验值三、功率 MOS V GS <85% ×V GSmax ( 最大栅极驱动电压) I D_peak <80% ×I D_M( 最大漏极脉冲电流) . V DS <80 ~ 90% × 额定电压 dV/dt<50% ~ 90% × 额定值结温<85 ℃~80% ×T jmax( 最大工作结温) T case( 外壳温度)≤ ×T jmax -2 ×θ jc×P,2 ×θ jc× P<15 ℃,θ jc 是从结到壳的热阻, P 是功率损耗。这是一个可供参考的经验值。四,三极管所有的电压指标都要限制在 85% 的额定值之下功率损耗不超过 70% ~ 90% 额定值 IC 必须在 RBSOA( 反偏安全工作区)与 FBSOA( 正偏安全工作区) 范围内降额 30% (就是额定的 70% ) 结温不超过 85~ 125 ℃ Tcase( 外壳温度)≤ ×T jma x-2 ×θ jc×P,2 ×θ jc× P<15 ℃,θ jc 是从结到壳的热阻, P 是功率损耗。这是一个可供参考的经验值。五,电解电容铝电解电容是开关电源中一个非常重要的元件。而很多开关电源的故障率偏高,都是因为对铝电解的使用不当造成的。由于铝电解的重要性,我们对他的研究比较多,因而制定出来的规则也比较多。 1,V dc +V ripple <90% × 额定电压 2 ,在电容体之下, PCB 正面,尽量不要有地线之外的其他走线。 3, 纹波电流, 这个问题比较复杂, 因为开关电源中, 纹波电流的频谱是非常丰富的, 所以必须把纹波电流折算一下: 频率因子,供应商应该可以提供的。纹波电流必须保证在供应商的额定值的 70% ~ 90% 之内。. 4 ,电解电容的初始容量要保证 20% 的裕量。同时,要保证额外的 20% 的容量裕量,以应对寿命快到时的容量衰减。 5 ,电解电容的寿命温度加速因子为 2每 10℃,也就是说,温度每升