模拟电子技术基础总结.doc

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第一章晶体二极管及应用电路
一、半导体知识
1．本征半导体
·单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅（Si）和锗（Ge）（图1-2）。前者是制其等效电路主要是一个势垒电容。利用这一特性的二极管称为变容二极管。变容二极管在通信电路中有较多的应用。
第二章双极型晶体三极管（BJT）
一、BJT原理
·双极型晶体管（BJT）分为NPN管和PNP管两类（图2-1，图2-2）。
·当BJT发射结正偏，集电结反偏时，称为放大偏置。在放大偏置时，NPN管满足；PNP管满足。
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·放大偏置时，作为PN结的发射结的VA关系是：（NPN），（PNP）。
·在BJT为放大偏置的外部条件和基区很薄、发射区较基区高掺杂的部条件下，发射极电流将几乎转化为集电流，而基极电流较小。
·在放大偏置时，定义了（是由转化而来的分量）极之后，可以导出两个关于电极电流的关系方程：
其中，是集电结反向饱和电流，是穿透电流。
·放大偏置时，在一定电流围，、、基本是线性关系，而对三个电流都是指数非线性关系。
·放大偏置时：三电极电流主要受控于，而反偏通过基区宽度调制效应，对电流有较小的影响。影响的规律是；集电极反偏增大时，，增大而减小。
·发射结与集电结均反偏时BJT为截止状态，发射结与集电结都正偏时，BJT为饱和状态。
二、BJT静态伏安特性曲线
·三端电子器件的伏安特性曲线一般是画出器件在*一种双口组态时输入口和输出口的伏安特性曲线族。BJT常用CE伏安特性曲线，其画法是：
输入特性曲线：（图2-13）
输出特性曲线：（图2-14）
·输入特性曲线一般只画放大区，典型形状与二极管正向伏安特性相似。
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·输出特性曲线族把伏安平面分为4个区（放大区、饱和区、截止区和击穿区）放大区近似的等间隔平行线，反映近似为常数，放大区曲线向上倾是基区宽度调制效应所致。
·当温度增加时，会导致增加，增加和输入特性曲线左移。
三、BJT主要参数
·电流放大系数：直流，直流；交流和，、也满足。
·极间反向电流：集电结反向饱和和电流；穿透电流
·极限参数：集电极最大允许功耗；基极开路时的集电结反向击穿电压；集电极最大允许电流
·特征频率
BJT小信号工作，当频率增大时使信号电流与不同相，也不成比例。若用相量表示为，，则称为高频。是当高频的模等于1时的频率。
四、BJT小信号模型
·无论是共射组态或共基组态，其放大电压信号的物理过程都是输入信号使正偏发射结电压变化，经放大偏置BJT部的的正向控制过程产生集电极电流的相应变化（出现信号电流），在集电极电阻上的交流电压就是放大的电压信号。
·当发射结上交流电压mV时，BJT的电压放大才是工程意义上的线性放大。
·BJT混合小信号模型是在共射组态下推导出的一种物理模型（图2-28），模型中有七个参数：
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基本参数：基区体电阻，由厂家提供、高频管的比低频管小
基区复合电阻：估算式：，——发射结交流电阻
跨导：估算（ms），
基调效应参数：估算，——厄利电压
：估算
以上参数满足：
高频参数：集电结电容：由厂家给出；
发射结电容：估算*
·最常用的BJT模型是低频简化模型
（1）电压控制电流源（）模型（图2-23）
（2）电流控制电流源（）模型（图2-24，常用），其中
第三章晶体管放大器基础
一、基本概念
·向放大器输入信号的电路模型一般可以用由源电压串联源阻来表示，接受被放大的信号的电路模型一般可以用负载电阻来表示（图3-1）。
·未输入信号（静态）时，放大管的直流电流电压称为放大器的工作点。工作点由直流通路求解。
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·放大器工作时，信号（电流、电压）均迭加在静态工作点上，只反映信号电流、电压间关系的电路称为交流通路。
·放大器中的电压参考点称为“地”，放大器工作时，*点对“地”的电压不变（无交流电压），该点为“交流地”。
·交流放大器中的耦合电容可以隔断电容两端的直流电压，并无衰减地将电容一端的交流电压传送到另一端，耦合电容上应基本上无交流电压，或即是交流短路的。傍路电容也是对交流电流短路的电容。
·画交流通路时应将恒压源短路（无交流电压），恒流源开路（无交流电流）；耦合、傍路电容短路（无交流电压）。
·画直