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模拟电子技术基础总结
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第一章晶体二极管及应用电路
一、半导体知识
1 •本征半导体
•单质半导体成的扩散电容CD•CT随偏压的增大而增大，CD与正偏电流近似成正比。
•反偏二极管在高频条件下，其等效电路主要是一个势垒电容CT利用这一特性的二极管称为变容二极管。变容二极管在通信电路中有较多的应用。
第二章双极型晶体三极管（BJT）
一、BJT原理
•双极型晶体管（BJT）分为NPNt和PNPt两类（图2-1，范文TOP100图2-2）0
•当BJT发射结正偏，集电结反偏时，称为放大偏置。在放大偏置时，NPN管满足
VC?VB?VC
;PNP管满足VC?VB?VE
BE
v
iE?IESe•放大偏置时，作为PN结的发射结的VA关系是：
VT
iE?IESe(NPN，
BET
V(PNP。
•在BJT为放大偏置的外部条件和基区很薄、发射区较基区高掺杂的内部条件下，发射极电流iE将几乎转化为集电流iC,而基极电流较小。
?
iCNiE•在放大偏置时，定义了(iCN是由iE转化而来的iC分量)极之后，可以导
出两个关于电极电流的关系方程：iC?iE?ICBO
iC??iB?(1??)ICB0??iB?ICE0
3
其中
??
1?,ICEO是集电结反向饱和电流，ICE0?(1??)ICB0是穿透电流。
•放大偏置时，在一定电流范围内，iE、iC、iB基本是线性关系，而vBE对三个电流都是指数非线性关系。
•放大偏置时：三电极电流主要受控于vBE,而反偏vCB通过基区宽度调制效应，对电流有较小的影响。影响的规律是；集电极反偏增大时，IC，IE增大而IB减小。•发射结与集电结均反偏时BJT为截止状态，发射结与集电结都正偏时，BJT为饱和状态。
二、BJT静态伏安特性曲线
•三端电子器件的伏安特性曲线一般是画出器件在某一种双口组态时输入口和输出口的伏安特性曲线族。BJT常用CE伏安特性曲线，其画法是：
输入特性曲线：输出特性曲线：
iB?f（vBE）ViB?f（vCE）
CE常数（图2-13）
IB常数（图2-14）•输入特性曲线一般只画放大区，典型形状与二极管正向伏安特性相似。•输出特性曲线族把伏安平面分为4个区（放大区、饱和区、截止区和击穿区）放大区近似的等间隔平行线，反映？近似为常数，放大区曲线向上倾是基区宽度调制效应所致。
•当温度增加时，会导致？增加，ICBO增加和输入特性曲线左移。
三、BJT主要参数
??lim
?iC?iE-电流放大系数：直流？，直流；交流满足
??
?1??
??0
??lim
?iC?iB
Q
和
??0
,?、?也
。
•极间反向电流：集电结反向饱和和电流ICBO穿透电流ICEO•极限参数：集电极最大允许功耗PCM基极开路时的集电结反向击穿电压BVCEO集电极最大允许电流ICM•特征频率fT
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BJT小信号工作，当频率增大时使信号电流ic与ib不同相，也不成比例。
若用相量
??????
表示为lc,IB，则？？lclB称为高频？。fT是当高频？的模等于1时的频率。
四、BJT小信号模型
•无论是共射组态或共基组态，其放大电压信号的物理过程都是输入信号使正偏发射结电压变化，经放大偏置BJT内部的vBE的正向控制过程产生集电极电流的相应变化(iC出现信号电流ic)，ic在集电极电阻上的交流电压就是放大的电压信号。
•当发射结上交流电压|vbe|?5mV时，BJT的电压放大才是工程意义上的线性放大。・BJT混合？小信号模型是在共射组态下推导出的一种物理模型(图2-28)，模型中有七个参数：
基本参数：基区体电阻rbb?，由厂家提供、高频管的rbb?比低频管小
rb?e?(1??)
VTIE
?(1??)re
基区复合电阻rb?e:估算式：，re发射结交流电阻
跨导gm估算gm?ICVT???(m9，?rb?e,gm关系？?rb?egm?基调效应参数rce:估算rce?VAIC，VA厄利电压
rb?c:估算rb?c??rce
300K
1gm
?re
以上参数满足：
rb?c??rce??rb?e??
高频参数：集电结电容Cb?c由厂家给出；
Cb?e?
gm2?fT
?Cb?c
发射结电容Cb?e：估算
*
•最常用的BJT模型是低频简化模型
(1) 电压控制电流源(ic?gmvb?e)模型(图2-23)
(2) 电流控制电流源(ic??ib)模型(图2-24,常用)，其中rbe?rbb??rb?e
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