CN110980634A-纳米粒子图形化的方法、显示屏、显示装置.docx

(19)中华人民共和国国豕知识产权局
(12)发明专利申请
权利要求书1页说明书6页附图2页
(10)申请公布号 CN 110980634 A
(43)
(21)申请号 20191器的 制备工艺主要依靠蒸镀，在高精度显示方面具有很高难度，同时材料利用率低，良品率较 低，因此大尺寸及高分辨率OLED显示器的商用目前仍面临诸多问题。而打印法的OLED工艺 仍不成熟，无法代替蒸镀法成为主流，同时在提高高分辨率方面也面临困难。
[0004] 量子点(Quantum Dots , QDs),又可以称纳米晶,是一种由II - VI族或III - V族元 素组成的纳米颗粒。纳米粒子的粒径一般介于l~20nm之间，由于电子和空穴被量子限域， 连续的能带结构变成具有分子特性的分立能级结构，受激后可以发射荧光。
[0005] 量子点的发射光谱可以通过改变量子点的尺寸大小来控制。通过改变量子点的尺 寸和它的化学组成可以使其发射光谱覆盖整个可见光区。以CdTe量子点为例，当它的粒径 ，它们的发射波长可以从510nm红移到660nmo
[0006] 目前，利用量子点的发光特性，可以将量子点作为分子探针应用于荧光标记，也可 以应用于显示器件中，将单色量子点作为显示屏的背光模组的发光源，单色量子点在受到 蓝光LED激发后发出单色光与蓝光混合形成白色背景光，具有较大的色域，能提高画面品 质。
[0007]目前QDLED(Quantum Dot Light Emitting Diodes)主要图形化方法包括打印、光 刻、转印等方法。打印面临和OLED同样的问题，在高分辨率方面存在问题，目前仍无法超过 300ppi。因此开发新的纳米粒子图形化方法具有重要的价值。
发明内容
[0008] 本发明实施例所要解决的技术问题是，提供一种纳米粒子图形化的方法、显示屏、
显示装置，以实现纳米粒子的图形化。
[0009] 为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种纳米粒子图形化的方法，包括：
[。。10] 采用光照，使纳米粒子在重氮荼醍单元的作用下，形成包含所述纳米粒子的交联
网络。
[0011] 可选地，所述采用光照，使纳米粒子在重氮荼醍单元的作用下，形成包含所述纳米
粒子的交联网络，包括：
[0012] 将所述纳米粒子与含有至少两个重氮荼醍单元的光敏化合物混合；
[0013] 采用光照，使所述纳米粒子在所述至少两个重氮荼醍单元的作用下，与所述光敏
化合物联结，形成包含所述纳米粒子的交联网络。
[0014] 可选地，所述含有至少两个重氮荼醍单元的光敏化合物的通式为R-(C10ON2H5)n ,
其中，R为连接基团，C10ON2H5为重氮荼醍单元，n>2o
[0015] 可选地，所述连接基团包括脂肪炷、芳香炷、杂环化合物、醇、醛、酯、醍、***和酰*** 中的一种或几种。
[0016] 可选地，所述光敏化合物与所述纳米粒子的质量比为1:50 ~ 1:10。
[0017] 可选地，所述采用光照，使纳米粒子在重氮荼醍单元的作用下，形成包含纳米粒子 的交联网络，包括：
[0018] 将所述纳米粒子溶解，其中，所述纳米粒子含有配体，所述配体至少含有重氮荼醍
单元；
[。。19] 采用光照，使所述纳米粒子在所述配体的作用下互相联结，形成包含所述纳米粒
子的交联网络。
[0020] 可选地，所述配体的通式为(X)n-R-(C10ON2H5)m ,其中,X为配位基团,n>l , R为连 接基团，C10ON2H5为重氮荼醍单元，m>lo
[0021] 可选地，所述配位基团包括愈基、蔬基、氨基、磷原子和氧麟基中的一种或几种。
[0022] 可选地，所述纳米粒子包括金属纳米粒子、氧化物纳米粒子和量子点。
[0023] 可选地，所述量子点包括硒化镉、磷化掴、硒化锌、硫化铅、卤化铅饱、氧化锌、二氧 化钛、硒化镉/硒化锌核壳结构、磷化掴/硒化锌核壳结构和硒化镉/硫化镉/硫化锌核壳结 构中的一种或几种。
[0024] 为了解决上述技术问题，本发明实施例还提供了一种显示屏，由前述的纳米粒子
图形化的方法制备而成。
[0025] 为了解决上述技术问题，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括前述的显示
屏。
[。。26] 本发明实施例提供了一种纳米粒子图形化的方法、显示屏、显示装置，利用重氮荼
醍单元在光照下发生光化学反应，成为含有愈基的单元，使纳米粒子能够通过舞基交联，形 成包含纳米粒子的交联网络，即纳米粒子通过舞基交联形成网络，从而实现纳米粒子的图 形化。
[0027] 当然，实施本发明的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优
点。本发明的