电磁兼容-电磁屏蔽技术.doc

第三章电磁屏蔽技术?屏蔽材料的选择?实际屏蔽体的设计电磁屏蔽屏蔽前的场强 E 1屏蔽后的场强 E 2 对电磁波产生衰减的作用就是电磁屏蔽, 电磁屏蔽作用的大小用屏蔽效能度量: SE = 20 lg(E 1/E 2) dB 实心材料屏蔽效能的计算入射波 SE = R1 + R2 +A+B =R+A+B B 场强吸收损耗 A R1 R2 距离波阻抗的概念Ω波阻电场为主 E∝ 1/ r 3H∝1/r 2 抗 E/H 平面波 E∝ 1/ rH∝ 1/ r 377 磁场为主 H∝ 1/ r 3E∝ 1/ r 2 λ/2π到观测点距离 r 吸收损耗的计算δ 0 入射电磁波 E 0t 剩余电磁波 E 1E1 =E 0e -t/δ A = 20 lg( E0 / E1 )= 20 lg(e t/δ) dB A= (t/δ) dB A= t√fμ rσr dB 反射损耗 Z W R= 20 lg4 Zs 远场: 377 Ω近场:取决于源的阻抗 Z S= × 10- 7√fμ r/σ r 同一种材料的阻抗随频率变反射损耗与波阻抗有关,波阻抗越高,则反射损耗越大。不同电磁波的反射损耗远场:R= 20 lg 377 4 Zs 电场:R= 20 lg 4500 Df ZsdB 磁场:R= 20 lg 2Df Zs Zs= 屏蔽体阻抗, D= 屏蔽体到源的距离( m ) f= 电磁波的频率( MHz ) 影响反射损耗的因素 R(dB) 靠近辐射源 150 平面波 r= 30m靠近辐射源 1k 10k 100k 1M 10M 100M f