水热法制备氧化锌纳米棒阵列的生长动力学研究.pdf

水热法制备氧化锌纳米棒阵列的生长动力学研究.pdf297 北京科技大学学报 VOI29NO7
20077 鵬Ⅱ and 科 Jul2007
水热法制备氧化锌纳米棒阵列的生长动力学研究
郭 1刁 213
北京科技大学理化系,北京北京航空航天大学材料科学与工程学院,北京
北京大学化学与分子工程学院。北京
摘要 zn0sEMxRD
Zno8h
棒的生长近乎停止,,纳米棒的径向生长由两个明显的动力学过程
组成,
24m
zn0
分类号;
ZnO及长度之间的关系;经统计分析,得到了纳米棒的直
优异的性能在纳米电子器件及纳米光电子器件方面径和长度随时间增长的变化规律.
[3|
1 实验
zno
[1]znO[1,即
ZnO将一定量的分析纯,北京化
vLSCvD1'4-5J工厂苡谝欢康腘和
ZnO治龃浚旖蚧约脸中,
规模制备,从而制约了其在许多纳米器件中的应用. ℃
ZnO胶体溶液对深圳伟光导电膜玻璃有限公司,方
的制备,然而模板制备工艺复杂,并且去除模板时容块电阻 Qcm-2)(
易使制备出的纳米线阵列被污染,原本分散的纳米底的方法称为溶胶铺膜法,简称并加热处
线易于相互粘结团聚在一起,破坏了原有的纳米结 znO
,探索一种廉价、简捷、行之有效的方法来 Zn(N03)2(
znO纯,北京化工厂六次甲基四胺,分析
ZnO)95
纳米线/,用石英亚沸蒸馏水重蒸的二
几个实验小组正在从事这方面的研究,但只是刚刚次水反复冲洗以除去吸附的多余离子和胺盐,空气
znO中晾干以备表征用.
[6_11|Zn0
(SEMPhilipsFEI
度及形貌进行控制的有效手段,尤其是采用低温水工作电压 Kev)x
znO
,玌’一,辐射源为
本文采用低温水热法,在经过溶胶铺膜修饰的基底 znO
znO表征.
ZnO
2
2006-022120060425
基金项目:国家自然科学基金资助项目图2捎萌芙浩棠し处理基底后
作者简介:郭敏,女,副教授,博士 znO
736 北京科技大学学报第卷
l(cPT)znosEM(a)(jJ(c){j)
斜。图
SEM ofZno 盿 onCPT-substratesfor different gmwth periods oftime(a)(j)top;~
fmm 。
7 郭敏等:水热法制备氧化锌纳米棒阵列的生长动力学研究
米棒阵列的迹赯纳米棒生长初期 CPT
以内饕J窃趜纳米粒子膜的帮助下 ZnO
在咨闲纬纱罅苛絑纳米晶作为生长米棒阵列的图进行了统计分析,得到了
点。。如
CPT22(a)zno(
ZnO)
15h
8h (,
纳米棒的长径比趋于基本不变. 擅装糁本兑評. ·反应 h
znO)
xRD期的约逐渐增长到反应时间 h
30minXRD(002)5