离心铸造TC4 合金冷速对其组织和力学性能的影响.pdf

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第 15 卷第 9 期光学精密工程
Vol. 15 No. 9
2007 年 9 月 Optics and Precision Engineering Sep. 2007
文章编号 1004 924X(2007) 09 1377 06
微机2电2 系统中2S2 U 8 厚光刻胶的内应力研究
杜立群1 ,朱神渺2
(1. 大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室,辽宁大连 116023 ;
2. 大连理工大学辽宁省微纳米技术及系统重点实验室,辽宁大连 116023)
摘要:在对基片曲率法常用的 Stoney 公式进行必要修正的基础上,提出了适合计算 SU 8 胶层内应力的理论模型,并采
用轮廓法直观地测量了内应力引起的基底曲率的变化。通过 ANSYS 仿真揭示了基片直径,胶层厚度及后烘温度三者
对基片曲率的影响。仿真结果表明:后烘温度是影响胶层内应力的主要因素。实验测量了后烘温度分别为 55 ℃、70 ℃
和 85 ℃三种条件下的 SU 8 胶层的内应力。结果表明:降低后烘温度能有效地减小 SU 8 胶层的内应力,实验测量值与
仿真计算值基本吻合。内应力的测量为 SU 8 胶层内应力的定量研究奠定了基础。
关键词:SU 8 ;内应力测量;基片曲率法;Stoney 公式
中图分类号: TN305. 7 文献标识码:A
Study on internal stress of thick SU 8 layer in MEMS
DU Li qun1 , ZHU Shen miao2
(1. Key L aboratory f or Precision & N on t raditional M achi ni ng Technolog y of t he M i nist ry of
Education , D ali an Universit y of Technolog y , D ali an 116023 , China;
2. Key L aboratory f or M icro/ N ano Technolog y and S ystem of L i aoni ng Provi nce ,
D alian Universit y of Technolog y , D ali an 116023 , Chi na)
Abstract : After improving t he Stoney’ s formula widely used in t he curvat ure met hod , a t heoretical
model for SU 8 internal stress calculation is proposed and a profile met hod is used to measure t he cur
vat ure radius of substrate. The influence of substrate diameter , film t hickness and Post exposure Bake
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