射频磁控溅射纳米二氧化钒薄膜的电致相变特性.pdf

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射频磁控溅射纳米二氧化钒薄膜的电致相变特性�����梁继然���明���强��笏潮�,梁秀琴��潞氪����������������������������猧������,��������������.����������,��·��������琭������,�������。��第�卷第��纳米技术与精密工程�.天津大学电子信息工程学院,天津���;��泄�蒲г喊氲继逖芯克��晒獾缱友Ч�抑氐闶笛槭遥�本�������泄�蒲г喊氲继逖芯克�氲继寮�杉际豕こ萄芯恐行模�本����摘要:采用射频磁控溅射方法和热处理工艺制备了二氧化钒���∧ぃ�⒅谱髁私鹗粑伲疺�/金属钨三明治结构,通过改变金属毒鲁/�,/金属钨三明治结构中��∧び虢鹗粑俚缂ǖ慕哟ッ婊��芯苛薞��湎哐苌湟���、扫描电子显微镜���⑺奶秸牒桶氲继宀问�馐砸嵌訴�罕∧さ慕峋�∠颉�表面形貌、方块电阻和,�,所制备的�:薄膜为具有热致相变特性的单一组分�,纳米薄膜,在热激励下,薄膜的方块电阻相变幅度达到�鍪�考叮辉诘缪沟募だ�拢琕�罕∧び虢鹗粑俚慕�����癿时,电流发生跳变的阈值电压为����孀沤哟ッ婊�募跣。�兄档缪挂仓鸾ソ档停�关键词:�:薄膜;电致相变;热致相变;射频磁控溅射中图分类号:��.�文献标志码:�文章编号:�����������������琀���.��,��������琓��������,�������,����.����������,�������,�����年��触面积为����琄���畄��珻���.����������,����:��������/��痶���������甔·�����沈������琺�����瑂�����甌����—���;�������,����:����;�������猧��������;����猧��������;�收稿日期:������基金项目:国家高技术研究发展计划��计划�手�钅��������还�易匀豢蒲Щ�鹱手�钅������桓叩妊�2┦垦Э频阕ㄏ�科研基金�陆淌��资助项目��������;集成光电子学国家重点联合实验室开放课题资助项目������.作者简介:梁继然����,男,博士,:梁继然,���猨����.��甤���.����,�����甋����������琁�����������,��������,�����,�����
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灰�金属�冢痸�#�鹗粑偃�髦谓峁沟闹谱�二氧化钒���薄膜具有半导体一金属相变特性,在相变过程中,�:的晶体结构由低温单斜金红石结构转变为高温四方金红石结构”“;伴随着结构的转变,其电阻的跃变幅度可达�鍪�考叮�诠饪9亍⒋�体相到金属相的转变”⋯.这�旨だ�绞骄哂胁煌���:薄膜应用与相变机理研究的主要方式,�。薄膜的热激励相变温度约为�℃,接近室温,便于利用和测量,但是其控制相变发生的速度较慢,不适合对速度要求较高的领域;在光激励方式下,�:薄膜的相变速度可低于���,但是对激励光源有特殊的要求,应用起来成本较高,而且不利于集成;相比而言,电激励相变不仅具有较快的速度,而且利于器件的集成和小型化,逐渐成为�:,在电激励方式