高密度氧化铟锡(ITO)靶材的制备研究.pdf

万方数据
(ITO)����������������of'����University2����������1����������嫦蚂焉誰朱归胜,徐华蕊氧化铟锡��Oxide��ITO)����由于具有良好的导电性、透光性和高的红外反射而被广泛应用于大屏幕液晶显示器、����������������������������������������明,靶材密度的高低和微观组织的均匀程度对溅射������������������������1��������������������的��∧ぃ�呙芏取⒏叽慷群透呔�刃訧�靶材������������������ITO��������In��sn��������������������������������������ITO������������������2��Bates��������ITO����������中烧结相对密度仅为�%一�%,在纯氧的条件����������������������������3,4J��������������������ITO������������������������������������������������������������������2����������������������ITO��������������������������压成型,在空气中烧结获得了相对理论密度大于99����������ITO����������������������������[51����������������(70��8)nm��(40��6)nm��������ITO�������ㄎ骰�党В琇�����—��成型为�的圆片,圆片的生坯密度为�%一�%,然后在不同的温度下烧结,升温速率为��℃/��,;采用扫描电镜(SEM��XL30��DX��4I��PhilipsCo��)����������形貌和粒径及其分布�捎脁射线衍射仪��,co��)��������������������化学分析和电感耦合高频等离子体发射光谱仪��,�.��Co��)��������������������琤�K�确ㄖ票福�>斗直鹞��±�1"1113��(40��6)am����������������������������以看出,粉体分散性好,粒径小且分布窄.��图1c)��������������������ITO����������6将�nm��40llm������������7��3������������������250MPa��������������������������1300������1��5��僭�h������������������������������99��3����������������������(����������)��2007��29(6)��601��606�鹆值缱涌萍即笱�畔⒉牧峡蒲в牍こ滔担�阄鞴鹆����摘要:以水热合成的�植煌�>��±��和������シ稚��粉末为原料,对原料粉体粒径分��������������������������������