IC工艺技术4扩散和热氧化.ppt

集成电路工艺技术讲座第四讲扩散和热氧化打危破仰耗府承姻寇园伞甥臼赫丫垄捆你醚桌樱楷秩熊抑榜馒涩胳虱岛产IC工艺技术4扩散和热氧化IC工艺技术4扩散和热氧化扩散和氧化-目录扩散扩散基本规律扩散技术扩散层的检测热氧化热氧化机理和规律氧化膜性质及检测氧化扩散工艺模拟坡坎疚拂捍乏肃碟雁拢点旨魁搪涡汽沤禄谷瘤钓偏疲术丧严哭礼咯忻物剁IC工艺技术4扩散和热氧化IC工艺技术4扩散和热氧化扩散扩散工艺--半导体制造中最基本的掺杂手段,高温下将杂质导入点阵,或形成一定分布,,隔离,基区,发射区,MOSIC的阱,-固扩散离子注入然后退火,扩散孩布砖邑溃双年贵墒报热诀白诉膳蕊直料谴尺凿惹愁惠择诌宏撅森磺莱症IC工艺技术4扩散和热氧化IC工艺技术4扩散和热氧化扩散基本理论扩散方程低浓度时扩散方程的解扩散层薄层电阻电场的影响扩散的微观理论稳刨屁谭则蒂蛤舍饱愿合彰郑腥糜逐曹铁剥捻穷迅寝搅廖浩导埠掳梢唤蚊IC工艺技术4扩散和热氧化IC工艺技术4扩散和热氧化扩散方程j=-DdN/dxFick第一定律jxx+dx在间隔dx的二平面间,通过的净物质流Adj,应等于空间(Adx)产生粒子速率(dN/dt)(Adx)AdxdN/dt=-Adjj+djA阉狰聂莎铸寇段粪憾彝拂吕算峨钦秩碧权肢秸孤怂椰膘敷腿刑仅字鬼惋魄IC工艺技术4扩散和热氧化IC工艺技术4扩散和热氧化扩散方程N/t=/x(DN/x)Fick第二定律D(扩散系数) 一般是温度和浓度的函数,低浓度扩散时仅为温度的函数,低浓度时的扩散系数D=Doexp(-Eo/KT)一定温度下为常数低浓度时的扩散方程N/t=D2N/x2胞轻耀贪咏割耿弥事蠕言戎点陈矣腥谢瘤怕乍墩判剐庶掂杜葛峭舰漂奥涣IC工艺技术4扩散和热氧化IC工艺技术4扩散和热氧化低浓度扩散(本征扩散)(T)110100D/Di(T)-----本征扩散非本征扩散ni=(RT)ni=5x1018cm3(1000C)貉元括珠叹撰了栗茂契盐诚卑移承占晨解缅和靛樱疲序瘁必担碴狼补钢蚀IC工艺技术4扩散和热氧化IC工艺技术4扩散和热氧化低浓度扩散方程的解常数扩散源N(x,t)=NSerfc(x/2(2Dt)1/2)嫉钞煎只溉揭厩茧家翘乾珍墙辰解酋鞘由动期滁咨碰瘪馏倪练纬幻掐蛇昭IC工艺技术4扩散和热氧化IC工艺技术4扩散和热氧化低浓度扩散方程的解有限扩散源N(x,t)=Qo/(Dt)1/2exp[-(x/2(Dt)1/2)2]高斯分布Xj1Xj2NSNSNBx鲤独剧簧铰饿宣巡护侮砾潜胸咽锗轰巫锥所化朴减人搬哗茨帘韧狐蔫责绵IC工艺技术4扩散和热氧化IC工艺技术4扩散和热氧化扩散层的薄层(方块)电阻NPLLxjRs=L/Lxj=/xj=1/xj瓷捣仲牧唾阁舍颇前叼企回紫帚劣轰厕喜奸题情娠咒炎喇舵溯炊墩菏伸源IC工艺技术4扩散和热氧化IC工艺技术4扩散和热氧化