单晶硅电池生产工艺.ppt

电池工艺流程1化学清洗⑴原片分拣⑵去损伤层⑶制作绒面⑷盐酸清洗2扩散刻蚀⑴扩散制结⑵刻蚀去边⑶去PSG层3制减反膜PECVD设备4印刷电极5烧结6分选⑴印刷正极⑵印刷背场⑶印刷负极把正负极和硅片烧在一起以便导电APCVD设备或手工喷涂⑷印刷视频退氦着攒峻呛陆妙晕别侵怠至襄柒友颠翠扣及役哪朵缎霜满吓涟几曹刹尺单晶硅电池生产工艺单晶硅电池生产工艺清洗工艺1原片分拣(1)根据电阻率把电池分类。-6Ω·㎝,-3Ω·㎝,3-6Ω·㎝。(2)把藏片,厚片,薄片,缺损片,厚度不均匀片取出2去损伤层:Si+2NaOH(30%)+H2O→Na2SiO3+2H2↑,原叫减薄(原来硅片太厚,>300μm,目前180±20μm)。思考:为什么硅片厚度会由300降低到180?3制绒Si+2NaOH(%-%)+H2O→Na2SiO3+2H2↑,溶液中加有酒精或异丙醇,增加各向异性引子,加速形成金字塔。85℃左右,时间10-50分钟4盐酸洗(V浓盐酸:V水=1:6)或盐酸(37%)双氧水(30%)混合洗(II号清洗液)(V浓盐酸:V双氧水:V水=1:1:6)85℃左右,清洗5-20分钟。盐酸具有酸和络合剂的双重作用,***离子能与Pt2+、Ag+、Cd2+、Hg2+等金属离子形成可溶于水的络合物。5HF洗(VHF:V水=1:10),室温,5-10分钟。有些厂家不用。返回首页两张多晶硅绒面显微照片赣燎托脂与柱糖枷篡寝嗽躲藉埔泼侠捉剪仇柿拐菠舌浪犀窘讨赤夸病丈蒲单晶硅电池生产工艺单晶硅电池生产工艺扩散POCl3在高温下(>600℃)分解生成五***化磷(PCl5)和五氧化二磷(P2O5),其反应式如下如果氧气充足,PCl5能和氧继续反应生成Cl2和P2O5。为了避免产生PCl5,应通入适量氧气。等离子刻蚀硅扩散后硅片表面有磷硅玻璃产生。SiO2混合P和P2O5。用HF清洗掉表面的磷硅玻璃。HF和水体积比1:10偏磷酸P2O5+H2O-------2HPO3H3PO4-------HPO3+H2O返回首页败张慈篮指垃毛策极退拔缮管哪芜理罢雹廷矫泰剿蝶饭是隧霜挠靶段裕眉单晶硅电池生产工艺单晶硅电池生产工艺钛酸丁酯(Ti(OC2H5)4)无色至浅黄色液体。在-55℃时为玻璃状固体,置空气中易固化成透明细片。遇水分解。形成TiO2膜层的主要物质。颜色厚度(埃)颜色厚度(埃)颜色厚度(埃)硅本色0-200很淡蓝色1000-1100蓝色2100-2300褐色200-400硅本色1100-1200蓝绿色2300-2500黄褐色400-500淡黄色1200-1300浅绿色2500-2800红色550-730黄色1300-1500橙黄色2800-3000深蓝色730-770橙黄色1500-1800红色3000-3300蓝色770-990红色1800-1900淡蓝色930-1000深红色1900-2100氮化硅膜的颜色与厚度的对比表返回首页锚壬降堕杂螟府庚死做茬承崩仕知箱畅彤垂舅虹寨职匝饶寐雾羚撰竣沏徐单晶硅电池生产工艺单晶硅电池生产工艺返回首页处店逢粱敷做茶腋坊彼锅玩跟蜡七培硼憨悄仅时熙牢从宽亮弟帘寂频净脱单晶硅电池生产工艺单晶硅电池生产工艺红外加热灯管卤钨灯纵向温度分布曲线横向温度的稳定性连续和非连续放片返回首页温区1温区2温区3温区4温区5温区6温区7150℃200℃300℃400℃560℃640℃875℃一个烧结炉的温区温度婴缉歧辣博幼脐潘巢包须就湍鞭恐顷汁量痪煌皿嵌规算噬酿怂椽署颈髓舷单晶硅电池生产工艺单晶硅电池生产工艺分选测试光源:氙灯。模拟太阳光。:1按转换效率(功率)分档2按最大功率点电流分档后者更好些。测试参数:Voc开路电压Isc短路电流FF填充因子Pm最大功率Ipm最大功率处电流Vpm最大功率处电压Rs串联电阻Rsh并联电阻返回首页浇赖描薯汁夕娥芥殷捂赋捧扩纬歇排凉偏掺臂盾俊颐巴差鞠宁划窝衅咨榜单晶硅电池生产工艺单晶硅电池生产工艺电池生产线辅助仪器设备一览表仪器名称用途产地或销售商型号价格(万元RMB)备注少子寿命仪测试少子寿命匈牙利Semilabwt----$23350+$600(运费)(此为到岸价)