康宁玻璃二次强化工艺.docx

,触控面板制程技术演进日新月异,对于中国而言,2012年是智能手机爆发年成长的一年,根据统计2012年中国手机厂商设计与制造的智能手机出货量将可望突破2亿只。在平板计算机需求对5”~”寸触控屏的需求也是急增,预计今年中国平板计算机的出货量可能超过5500万台。另外,NPDDisplaySearch在最近发布的触控面板市场与技术分析报告(TouchPanelMarketAnalysis)中特别指出,微软(Microsoft)将上市的Windows8软件,对于触控功能的强化,将为平板计算机与笔记本电脑的触控面板需求,注入革命性的变化。就因触控产品的需求急遽上升,要求触控模块厂商降低成本与厚度,投射式电容触控技术加速轻薄化发展的市场新趋势,轻薄、坚固是目前触控面板研发的两大指标。-2015年应用在Notebook与TabletPC的触控面板产值(单位:百万美元) 根据SID(SocietyInformationDisplay)分类规范,以触控面板整合迭构的不同,将触控技术分为三种(1)In-Cell(2)On-Cel(3)Out-Cell。「In-Cell」为素玻璃经过ITO镀膜,然后再经过黄光制程,将触控传感器(TouchSensor)与显示器TFT-LCD液晶面板制作在一起,再与保护玻璃(CoverGlass)贴合(如图2),优点有产品光学效果较佳、产品轻薄度最高、靈敏度等,缺点是制程技术门坎较高、良率低,玻璃经过切割后抗压强度下降,需要进行二次强化弥补缺陷。而根据报导指出Apple将在2012下半年发表的iphone5将采用incell技术。—制程条件部分化学二次强化制程相关的因素有:(1)HF化学成分与浓度的监控(2)化学蚀刻制程温度的管控(3)玻璃砂过滤处理问题(4)蚀刻槽体较佳流场设计与过滤系统整合。3h-I!P6T:p3w8] (1)HF化学成分与浓度的监控:由于化学二强主要是利用HF微蚀刻玻璃段面因切割产生的延伸性裂痕,使裂痕缩小甚至消失来提升产品的4pb能力,因此在制程中HF浓度会因为蚀刻SiO2而逐渐下降,影响到制程蚀刻速率,所以维持一定的HF浓度,稳定蚀刻速率是化学二强的制程重点。依据化学方程式说明(如图12),HF和SiO2反应会生成***化硅(SiF4),在水中会水解生成***化硅和***酸,***化硅与***酸生成***硅酸(六***硅酸),六***硅酸可溶于水纯H2SiF6不稳定,容易分解生成HF和SiF4。由GPTC二强实验数据(如图12)得知H2SiF6的增加会影响蚀刻速率(EtchingRate;ER)的下降,因此化学二次强化制程除了定时监控HF浓度外,一般会在固定时间或是固定量的投产批次内,将HF槽内的旧酸排放更新,让蚀刻速率回复水平。技术上来说使用***离子侦测器或是水阻值计测量HF槽内的浓度或是水阻值表现,可计算出***离子的浓度。另外,加入副方化学成分如HCl、CH3CO2H对于蚀刻厚的玻璃表面也有不同的修饰效果(2)化学蚀刻制程温度的管控:蚀刻制程为放热反应,若温度控制无法在适当的制程温度范围内将影响蚀刻速率的快慢。如图13两组实验数据讨论所示,数据1玻璃蚀刻为放热反应:℃℃à℃,数据2玻璃蚀刻为放热反应:℃℃à提