垂直结构LED技术.doc

垂直结构LED技术由于蓝宝石基板的导热系数差,影响LED的发光效率。为了解决LED的散热难题,未来有可能将主要采用垂直结构LED的架构,促进LED产业的技术发展。关于垂直结构LED技术相信大家都有所耳闻,下面仅从技术表层进行介绍,谨供参考。我们知道,LED芯片有两种基本结构,横向结构(Lateral)和垂直结构(Vertical)。横向结构LED芯片的两个电极在LED芯片的同一侧,电流在n-和p-类型限制层中横向流动不等的距离。垂直结构的LED芯片的两个电极分别在LED外延层的两侧,由于图形化电极和全部的p-类型限制层作为第二电极,使得电流几乎全部垂直流过LED外延层,极少横向流动的电流,可以改善平面结构的电流分布问题,提高发光效率,也可以解决P极的遮光问题,提升LED的发光面积。我们先来了解下垂直结构LED的制造技术与基本方法:制造垂直结构LED芯片技术主要有三种方法:一、采用碳化硅基板生长GaN薄膜,优点是在相同操作电流条件下,光衰少、寿命长,不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长,不足处是须对LED表面进行处理以提高发光效率。三、是采用异质基板如硅基板成长氮化镓LED磊晶层,优点是散热好、易加工。制造垂直结构LED芯片有两种基本方法:剥离生长衬底和不剥离生长衬底。其中生长在***化镓生长衬底上的垂直结构GaP基LED芯片有两种结构:不剥离导电***化镓生长衬底:在导电***化镓生长衬底上层迭导电DBR反射层,生长GaP基LED外延层在导电DBR反射层上。剥离***化镓生长衬底:层迭反射层在GaP基LED外延层上,键合导电支持衬底,剥离***化镓衬底。导电支持衬底包括,***化镓衬底,磷化镓衬底,硅衬底,金属及合金等。另外,生长在硅片上的垂直GaN基LED也有两种结构:不剥离硅生长衬底:在导电硅生长衬底上层迭金属反射层或导电DBR反射层,生长氮化镓基LED外延层在金属反射层或导电DBR反射层上。剥离硅生长衬