纳米铟锡金属氧化物.doc

纳米铟锡金属氧化物在化学上, ITO 是 Indium Tin Oxides 的缩写。作为纳米铟锡金属氧化物, 具有很好的导电性和透明性, 可以切断对人体有害的电子辐射、紫外线及远红外线。因此, 铟锡氧化物通常喷涂在玻璃、塑料及电子显示屏上, 用作透明导电薄膜, 同时减少对人体有害的电子辐射及紫外、红外。 ITO 是一种 N 型氧化物半导体- 氧化铟锡, ITO 薄膜即铟锡氧化物半导体透明导电膜,通常有两个性能指标:电阻率和透光率。在氧化物导电膜中, 以掺 Sn的 In2O3(ITO) 膜的透过率最高和导电性能最好, 而且容易在酸液中蚀刻出细微的图形,其中透光率达 90% 以上。 ITO 中其透光率和阻值分别由 In2O3 与 SnO2 之比例来控制, 通常 SnO2:In2O3=1:9 。目前 ITO 膜层之电阻率一般在 5*10-4 左右, 最好可达 5*10-5 , 已接近金属的电阻率,在实际应用时,常以方块电阻来表征 ITO 的导电性能,其透过率则可达 90% 以上, ITO 膜之透过率和阻值分别由 In2O3 与 Sn2O3 之比例控制,增加氧化锢比例则可提高 ITO 之透过率, 通常 Sn2O3 : In2O3=1 :9, 因为氧化锡之厚度超过 200Å 时, 通常透明度已不够好--- 虽然导电性能很好。如用是电流平行流经 ITO 脱层的情形, 其中 d 为膜厚, I 为电流, L1 为在电流方向上膜厚层长度, L2 为在垂直于电流方向上的膜层长主, 当电流流过方形导电膜时, 该层电阻 R=PL1/dL2 式中 P 为导电膜之电阻率, 对于给定膜层, P和d 可视为定值, P/d ,当 L1=L2 时,怒火正方形膜层,无论方块大小如何, 其电阻均为定值 P/d , 此即方块电阻定义:R□=P/d , 式中 R□单位为: 欧姆/□(Ω/□), 由此可所出方块电阻与 IOT 膜层电阻率 P和 ITO 膜厚 d 有关且 ITO 膜阻值越低,膜厚越大。目前在高档 STN 液晶显示屏中所用 ITO 玻璃,其 R□可达 10Ω/□左右,膜厚为 100-200um , 而一般低档 TN 产品的 ITO 玻璃 R□为 100-300 Ω/□, 膜厚为 20-30um 。在进行 LCD 走线设计时,由 ITO 阻计算方式,可知影响 ITO 阻值有如下因素: 1、 ITO 玻璃之方块电阻要确保走线电阻小, 应酬让 ITO 玻璃方块电阻小, 因为 R□=P/d , 则必须选 P小, d 适当大些的材料。 2、 L1/L2 L1/L2 即走线在平行电流方向与垂直电流方向上的长度比,在 R□一定时,要保证走线电阻值小,就要让 L1/L2 小,当 L1 一定时,只有增大 L2 ,也说法是在设计时,走线应尽可能加宽; 而当 L2 一定时, L1 就要小,即走线宽度一定时, 细线应尽可能短。3、 ITO 阻值影响在 LCD 显示屏设计当中, 不仅要考虑走线布对 ITO 阻值的影响,还要考虑生产工艺对 ITO 阻值的影响,以便选