半导体设备工艺简介.ppt

中国科学院半导体研究所InstituteofSemiconductors,ChineseAcademyofSciences单击此处编辑母版文本样式中科院半导体所照明研发中心工艺设备简介2014-3-3中国科学院半导体研究所InstituteofSemiconductors,ChineseAcademyofSciences单击此处编辑母版文本样式半导体照明研发中心简介“中国科学院半导体照明研发中心”,拥有1500平方米的超净工艺环境;装备方面总体已完成投入4000余万元,具备从材料制备、芯片工艺、封装测试完整的研发工艺线。“中心”组建了强有力的研发团队,由18位留学回国人员、30余名正高和副高职称研究员和近30余名工程技术人员组成;并与美、日、德等国建立了国际合作关系,聘请了8位客座研究员。在半导体照明重大装备、材料生长、器件工艺、重大应用等方面与国内外相关研发产业机构建立了良好的关系。中国科学院半导体研究所InstituteofSemiconductors,(金属)(ITO),ChineseAcademyofSciences单击此处编辑母版文本样式设备简介:厂商:美国ABM公司,型号:ABM/6/350/NUV/DCCD/:将设计的掩模图形通过光刻机曝光转移到涂有光刻胶的晶片上用途:光刻胶的图形化。中国科学院半导体研究所InstituteofSemiconductors,ChineseAcademyofSciences单击此处编辑母版文本样式技术指标:(波长)输出光强---约18-20mW/cm2;(波长)输出光强---约35-40mW/cm2;:4英寸直径;:硬接触模式<1微米,软接触<;接近式(20um)<2微米,接近式(50um)<3微米工艺特点::±1%于2英寸曝光范围内;±2%于4英寸曝光范围内;;;(D直接在显示器上显示),:,:厂商:德国PVA-TePla-AG型号:310M工作原理:通过微波产生的氧气等离子体对样品表面进行清洁作用或者去除光刻胶掩膜。用途:光刻胶或其他有机物的去除。中国科学院半导体研究所InstituteofSemiconductors,ChineseAcademyofSciences单击此处编辑母版文本样式技术指标::石英,直径245mm,深380mm;:,,可变功率工艺特点:、易于使用、高度活性、高效,且不会对电子装置产生损害,该系统配备洁净的石英晶体处理室;、SU8灰化;。,:厂商:坤杰精密自动化设备有限公司型号:310M用途:通过化学清洗手段对样品进行表面处理,通常可进行清洗、腐蚀、剥离等工艺。中国科学院半导体研究所InstituteofSemiconductors,ChineseAcademyofSciences单击此处编辑母版文本样式技术指标:,配备氮气及纯水清洗系统;、无机清洁处理;ITO薄膜湿法蚀刻;去蜡清洗;lift-off工艺;湿法腐蚀氧化硅等工艺。工艺特点:、水浴加热清洗、超声清洗;,溢注两种模