半导体设备工艺简介.ppt

中軿辱院辔导研完渐
中科院半导体所照明研发中心工艺设备简介
2014-3-3
中軿辱院辔导研完渐
Institute of semiconductors, Chinese academy of sciences
半导体照明研发中心简介
“中国科学院半导体照明研发中心”,拥有
1500平方米的超净工艺环境:装备方面总体已完成
投入4000余万元,具备从材料制备、芯片工艺、封
装测试完整的研发工艺线。“中心”组建了强有力
的研发团队,由18位留学回国人员、30余名正高和副
高职称研究员和近30余名工程技术人员组成;并与
美、日、德等国建立了国际合作关系,聘请了8位客
座研究员。在半导体照明重大装备、材料生长、器
件工艺、重大应用等方面与国内外相关研发产业机
构建立了良好的关系
中軿辱院辔导研完渐
Institute of semiconductors, Chinese academy of sciences
设备名录
1光刻机



PECVD

(金属)
8电子束蒸发台(|T0)
9电镀台
快速合金炉

12台阶仪


15激光剥离机



19LED全光功率测试系统
20LED自动分选机
中軿辱院辔导研完渐
Institute of Semiconductors, Chinese academy of Sciences
1光刻机
设备简介
厂商:美国ABM公司
型号:ABM/6/350NUV/DCCD/M型
Photoresist
Substrate
工作原理
将设计的掩模图形通过光刻机曝光转移到涂
有光刻胶的晶片上
用途:
photoresist
光刻胶的图形化。
Positive
Development
中軿辱院辔导研完渐
Institute of Semiconductors, Chinese academy of Sciences
1光刻机
技术指标:
(波长)输出光强一约18-20mW/ci
(波长)输出光强—-约35-40mW/cr
:4英寸直径

硬接触模式<1微米,软接触<
接近式(20um)<2微米,接近式(50um)<3微米
工艺特点:

±1%于2英寸曝光范围内
±2%于4英寸曝光范围内


(通过CCD直接在显示器上显示)
中辱院辔导研究
Institute of Semiconductors, Chinese academy of Sciences
1光刻机
示例
oooo
ooooooooo孔
ooooooooog
ooooooooo
ooooooo°
00
ooooooom
边

中軿辱院辔导研完渐
2微波式打胶机
设备简介:
厂商:德国PVA- Tepla-AG
型号:310M
工作原理:
通过微波产生的氧气等离子体对样品表面进彳
清洁作用或者去除光刻胶掩膜。
用途:
光刻胶或其他有机物的去除
中軿辱院辔导研完渐
2微波式打胶机
技术指标:
:石英,直径245mm,深380mm
等离子体发生器:,,可变功率
工艺特点:
、易于使用、高度活性、高效,且不会对电子装置产生
损害,该系统配备洁净的石英晶体处理室
、SU8灰化:

中軿辱院辔导研完渐
Institute of semiconductors, Chinese academy of sciences
3化学清洗工作台
△
设备简介:
厂商:坤杰精密自动化设备有限公司
型号:310M
用途
通过化学清洗手段对样品进行表面处理,通
常可进行清洗、腐蚀、剥离等工艺
中軿辱院辔导研完渐
Institute of semiconductors, Chinese academy of sciences
3化学清洗工作台
技术指标
,配备氮气及纯水清洗系统
可进行常规有机、无机清