LED芯片制程工艺培训分析.ppt

蓝宝石工艺制程培训资料2018年10月12日星期五LED:LightEmittingDiode的简称,即发光二极管,是一种将电转化为可见光的物质,其核心是PN结,当P区的空穴和N区的电子复合,将多余的电势能以辐射光子的形式释放出来。LED芯片分二元,三元,四元芯片的主要是看:所用的材料里含几种元素两个元素,称二元片(GaP磷化镓),三个元素称三元片(GaAlAs镓铝***),四个元素称四元片(InGaAsP磷化铝铟镓),现目前LED主要使用四元片半导体介绍:P型空穴N型电子PN结厚度约为10-7mE=?通电后,电子、空穴复合发光?λ跟材料有关系?能带工程,大原子结合能带小如InSn、GaP、GaAs小原子结合能带大如GaN、AlGaN+一载流子PN++++一一一一hγ=h——c供体硅光发射的电子跃迁2018年10月12日星期五蓝宝石产品介绍mesa焊盘金属钝化其他LP-TS0709B1A17*9平面衬底蓝色无柱子AUSIO2/LP-TS0709B1A27*9平面衬底PSS程序蓝色无柱子AUSIO2/LP-TP0709B2A37*9PSS衬底蓝色无柱子AUSIO2/LP-TS1213B1C112*13平面衬底蓝色5um柱子AUSIO2/LP-TP1213B1C212*13PSS衬底蓝色无柱子AUSIO2/LP-TP1023B1D110*23PSS衬底蓝色无柱子AUSIO2互补LP-TP1023B2D210*23PSS衬底蓝色无柱子AUSIO2正切腐蚀LP-TP1023B3D310*23PSS衬底蓝色无柱子AUSIO2隐形切割生产类型生产批工程批例试批外延工程批芯片实验批外延研发批验证批次品批对应代码CGLWSRYDLP产品及工艺版本工艺类型产品类型产品及工艺外延版本尺寸外延类型(平面/PSS)颜色2018年10月12日星期五PSS蓝宝石衬底图片2018年10月12日星期五主要产品图像展示7*910*2312*13图片解析1、尺寸大小不同2、图形不同光刻版的选择1023多一层互补SIO22018年10月12日星期五芯片结构N电极P电极沟槽ITO铟锡氧化物半导体透明导电膜扩流层上:SIO2下:N-GaNP-GaNSIO2圈ITO圈互补SIO2层SI02氧化硅SIO2ITO铟锡氧化物ITOGaN缓冲层MQW量子阱AlGaNP-GaNn-GaNn-GaNSI02SI02互补SIO2层俯视图一俯视图二切面图三2018年10月12日星期五7*9制程工艺流程外延片清洗去胶、清洗去胶、清洗SiO2沉积下游封装外延片清洗ITO蒸镀ITO光刻(甩胶、曝光、显影)ITO腐蚀ITO合金N光刻(甩胶、曝光、显影)ICP刻蚀SiO2腐蚀P/N电极蒸镀金属剥离COW测试研磨(减薄、抛光)划片、裂片点测中游成品SiO2光刻(甩胶、曝光、显影)手选2018年10月12日星期五蓝宝石基板Al2O3(430um)公司采用的外延衬底片分2种:平面衬底、PSS衬底外延片的区别方式:平面外延片目测比较透,PSS目测颜色偏深平面外延片镜检下无图形,PSS于500倍下有图形平面外延片号后缀-BF,PSS的后缀-PF1、外延片的认识PSS外延片500倍正常表面平面外延片500倍正常表面蓝宝石目测体2018年10月12日星期五1、外延片清洗Al2O3(430um)GaN缓冲层n-GaNMQW-发光层AlGaN应力释反晶格层(防止高温应力损坏)P-GaNGaN缓冲层n-GaNMQWAlGaNP-GaN设备:清洗机台甩干机超声器工艺:***超声5min,无水乙醇超声2min,冲DI水,BOE泡5min,冲水甩干目的:杂质会影响光刻及镀膜等工艺的质量,导致显影不良或接触不牢。2018年10月12日星期五2、ITO蒸镀Al2O3(430um)GaN缓冲层n-GaNMQWAlGaNP-GaNITO铟锡氧化物InGaNMQWp-GaN(Mg)?mp-AlGaN(Mg)-?mGaN缓冲层n-GaNMQWAlGaNP-GaNITO设备:富临蒸发台工艺:真空度:-6Torr,温度310℃,005程序,蒸镀时每个行星盘搭蒸1片BK7测试参数:BK7玻璃T%>90%,方块RS<10欧姆2018年10月12日星期五