西安电子科技大学硕士学位论文功率器件测试及封装技术研究学科:微电子学与固体电子学作者:艾君导师:郝跃教授中国·西安年疓
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导师签名:—睢本人签名:堇盘一西安电子科技大学学位论文独创性虼葱滦声明关于论文使用授权的说明日期鲨:鱼:鱼秉承学校严谨的学风和优良的科学道德,本人声明所呈交的论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知,除了文中特别加以标注和致谢中所罗列的内容以外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果;也不包含为获得西安电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中做了明确的说明并表示了谢意。申请学位论文与资料若有不实之处,本人承担一切的法律责任。本人完全了解西安电子科技大学有关保留和使用学位论文的规定,:研究生在校攻读学位期间论文工作的知识产权单位属西安电子科技大学。学校有权保留送交论文的复印件,允许查阅和借阅论文;学校可以公布论文的全部或部分内容,可以允许采用影印、缩印或其它复制手段保存论文。同时本人保证,毕业后结合学位论文研究课题再撰写的文章一律署名单位为西安电子科技大学。C艿穆畚脑诮饷芎笞袷卮斯娑本人签名:日期‘
摘要近年来,随着半导体技术的飞快发展,以及材料生长技术的突破,氮化镓为第三代半导体,已逐渐显示出其优势,二维电子气密度大和饱和电子迁移率高等,基于氮化镓难芯恳苍嚼丛蕉唷T谕ㄐ拧⒗状锏任⒉煊颍晕⒉üβ势骷男阅要求也越来越高,基于宽禁带半导体材料氮化镓奈⒉üβ势骷诔晌Q芯咳本文就是在此研究背景下对疓异质结微波功率器件的材料制备以及器件工艺进行了阐述,对β势骷幕咎匦裕ǎ褐绷魈匦裕缌鞅浪鞔┑压等进行了分析和表征。在此基础上着重对氮化镓β势骷奈⒉ㄌ匦圆馐越了介绍,这其中包括:在片测试、分离器件测试、小信号测试、大信号测试、。虽然采用同轴校准测试简单,但是随着频率的逐渐提高,测试夹具的影响已经不能忽略,所以本文考虑利用W挤椒ā8菔竿奈蟛钅型,设计了的W技ǎ褐蓖⒍搪、断路、负@么诵W技訥骷辛薚校准测试,?梢苑⑾衷盩校准测试消除了一部分夹具损耗,且对直通件进行评估发现,测量参考面确实移动到了被测件附近。另外,本文也设计了可拆卸的夹具,用于去嵌入测试,但是对半夹具测试后,发现损耗比直通件要大很多,这说明实际中很难得到半夹具的准确问W詈螅时的移浣峁隩校准实测相差不大,但与同轴校准测试相差很大,这进一步关键词:铝镓氮/氮化镓功率器件问芯逿校准件寄生参数点。器件的小信号测试和大信号测试并没有可以直接采用的定制方案,所以本文设计了用于载、延迟线利用管壳的电路模型进行仿真,对芸堑募纳问刑崛。抡娴玫狡说明W疾馐匀肥蹈幼既贰
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超顺磁性的MnFe2O4和Fe3O4纳米粒子的制备及其磁共振成像和磁传感应用的研究 来自淘豆网www.taodocs.com转载请标明出处.