《《溅射气压对dc磁控溅射制备aln薄膜的影响》》.pdf

第 35 卷第 1 期 南昌大学学报 理科版 Vol． 35 No． 1
2011 年 2 月 Journal of Nanchang University Natural Science Feb． 2011

文章编号 1006 － 0464 2011 01 － 0052 － 05
溅射气压对 DC 磁控溅射制备 AlN 薄膜的影响
赖珍荃，邹文祥，李海翼，刘文兴
南昌大学 物理学系，江西 南昌 330031
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摘 要 采用 DC 反应磁控溅射法 在 Si 111 和玻璃基底上成功的制备了 AlN 薄膜。研究溅射过程中溅射气压对
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薄膜性能的影响。结果表明 薄膜中原子比 N /Al 接近于 1 当溅射气压低于 0． 6 Pa 时 薄膜为非晶态 当溅射气压
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不低于 0． 6 Pa 时 薄膜的 XRD 图中均出现了 6 方相的 AlN 100 、110 和弱的 002 衍射峰 说明所制备的 AlN 薄
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膜为多晶态 气压为 0． 6 Pa 时对应衍射峰的半高峰宽较小 薄膜的结晶性较好 随着溅射气压的继续增大 薄膜结
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晶性变差 在不同的溅射气压 0． 6 － 1． 0 Pa 下 AlN 薄膜在 250 － 1 000 nm 波长范围内的透过率均在 82% 以上 且
随溅射气压的增大略有升高。