IC工艺技术9双极型集成电路工艺技术.ppt

IC工艺技术9双极型集成电路工艺技术
Speaker：
适用于公司介绍/新品发布/融资宣讲/商务路演
集成电阻
Pinch电阻
P base
Ｐ衬底
N Epi
集成电容
N
P+
金属
介质层
Space 3 .0um Over 500um parallel line
M1

SN



CO

PAD

M1
M1

CAP

Brief Process flow & Mask Sequence
1 Starting material
2 Initial oxidation
3 Buried N photo/etch
4 BN implant
5 BN drive-in
6 Buried P photo
7 BP implant
8 Epi growth
9 Initial oxidation
10 Deep N+ photo/etch
11 POCl3 pre-deposition and oxidation
Brief Process flow & Mask Sequence
12* Pbase photo
13* PBAS implant
14* Implanter resistor photo
15* Resistor implant
16* Extrinsic Pbase photo
17* XBAS implant
18 Drive-in
19 N Emitter photo/etch
20 NEMT implant
21 NEMT drive-in
22 Capacitor photo/etch
Brief Process flow & Mask Sequence
23 Capacitor oxidation
24 Si3N4 deposition
25 Contact photo/etch
26 Metal1 deposition
27 Metal1 photo/etch
28 Oxide deposition
29 Via photo/etch
30 Metal2 deposition
31 Metal2 photo/etch
33 USG/SiN Deposition
33 Pad photo/etch
34 Alloy
制版信息
光刻机类型和光刻版大小
制版工具（图形发生器，电子束制版）
版材料（石英，低膨胀玻璃）
制版精度
芯片和划片槽尺寸
套准和CD标记
PCM图形插入方案
制版信息－Process Bias
Mask Name
Process Bias
Digit.
Scribe
1
BN
-
C
D
2
BP(island)

D
C
3
DN
-
C
D
4
PBAS
0
C
C
7
NEMT
-
C
D
9
CONT
-
C
C
10
M1
0
D
C
PCM
（三）PN结隔离双极工艺流程（2um 18V）
双极IC工艺流程
N+埋层光刻和Sb+注入
P (111) Sub
10-20-cm
75kev
-2
双极IC工艺流程
N+埋层扩散
P 衬底
N+　埋层
1225ºC 60’N2+60’O2
12+/-3/sq

N+埋层版
双极IC工艺流程
P埋层光刻和B+离子注入
P Sub
N+
50kev 4E14cm-2
P埋层版
双极IC工艺流程
外延
P Sub
N-Epi
N+ 埋层
18V 0. 5um cm
36V   cm
外延层参数选择
外延电阻率应主要满足BVbco的要求，可查BV~Nd曲线
外延厚度 >Xjbc+Wbc +Wbn
基区
埋层
Xjbc
Wbc
Epi
Wbn
外延层的质量评价
外延电阻率
外延厚度畸
埋层图形偏移，畸变及对策
缺陷（特别在有埋层图形处）
双极IC工艺流程
外延后氧化－DN光刻－
磷予淀积(/sq)－磷扩散
P Sub
N-Epi
N+ 埋层
DN版
双极IC工艺流程
去除全部氧化层，重新生长PAD氧化层