氧气流量对磁控溅射AZO 薄膜光电性能的影响.pdf.pdf

306 西安理工大学学报 JournalofXi’anUniversityofTechnology(2011)
文章编号:10064710(2011)03030605
氧气流量对磁控溅射 AZO薄膜光电性能的影响
丁宇,蒋百灵,田亚萍,马二云,张晓静,曹智睿,赵志明
(西安理工大学材料科学与工程学院,陕西西安 710048)
摘要:采用直流反应磁控溅射方法在载玻片基体上制备 AZO薄膜,研究氧气流量对所制备 AZO薄
膜光电性能及微观结构的影响。结果表明,氧气流量显著影响 AZO薄膜的光电性能和结晶状况,
当氧气流量高于 ×10-6 m3/s时所制备的薄膜可见光透过率高但薄膜不导电;当氧气流量低
于 ×10-6 m3/s时沉积的薄膜呈现出金属性特征,薄膜导电不透明;只有在一个较窄的氧气流
量范围内才能制备出光电性能均优的 AZO薄膜。当氧气流量为 ×10-6 m3/s时沉积的 AZO
薄膜具有较低的电阻率,为 ×10-3Ω·cm,且薄膜在可见光区薄膜的平均透过率在 90%以上。
关键词:AZO薄膜;直流反应磁控溅射;氧气流量;光电性能
中图分类号: 文献标志码:A

. InfluenceofOxygenFluxonOptoelectronicPropertiesofAZO Films
ronSputteringMethod
DINGYu,JIANGBailing,TIANYaping,MAEryun,ZHANGXiaojing,CAOZhirui,ZHAOZhiming
(FacultyofMaterialsScienceandEngineering,XianUniversityofTechnology,Xian710048,China)
Abstract:

showthatoxygenfluxcandramaticallyaffecttheoptoelectronicpropertiesandcrystallinestatusofAZO

×10-6 m3/×10-6 m3/s,thefilmsdepositedex
haracteristic(conductivebutnottransparent).Accordingly,onlyinanarrowrangeofox

×10-6m3/×10-3Ω·cm,an