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扩散与离子注入.ppt

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文档列表 文档介绍

扩散与离子注入Diffusion and Ion Implantation
(第二讲)
2003年10月8日
1
扩散与离子注入
典型MOS工艺回顾
NMOS结构
2003年10月8日
2
扩散与离子注入
NMOS典型工艺
热氧化
薄膜沉积
光刻
刻蚀
注入
扩散
互连
封装
2003年10月8日
3
扩散与离子注入
CMOS工艺
2003年10月8日
4
扩散与离子注入
光刻技术
正胶
负胶
2003年10月8日
5
扩散与离子注入
热氧化
2003年10月8日
6
扩散与离子注入
第四章:扩散
向硅中引入杂质的重要方法之一,用于控制主要载流子类型、浓度,进而控制导电率。
主要介绍:扩散的基本原理、扩散层的片电阻、扩散层深度的测量,以及物理扩散系统。
2003年10月8日
7
扩散与离子注入
1、扩散过程
替位扩散:
杂质沿着晶格运动
必须有空位存在
添隙扩散:
杂质通过晶格位之间的间隙运动
扩散速度快于替位扩散
扩散过程难以控制
2003年10月8日
8
扩散与离子注入
2、扩散的数学描述
Fick第一定律
D为扩散系数
描述扩散粒子的空间分布
Fick第二定律
描述扩散粒子的时间分布
2003年10月8日
9
扩散与离子注入
3、两种扩散方式
恒定源扩散
有限源扩散
2003年10月8日
10
扩散与离子注入

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