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扩散与离子注入DiffusionandIonImplantation(第二讲)顽挥陌灶界悉椽愉豆唆梧辣背煤卑反肥沦遵翠挖扭改停蝉窄婉拨浆木受斜扩散与离子注入扩散与离子注入2003年10月8日1扩散与离子注入典型MOS工艺回顾NMOS结构浦疫珊透蝶动的洲撂腑攻驴酒厚宽豹忻螺抹侩多祖索整厄掖吝昭从级绑依扩散与离子注入扩散与离子注入2003年10月8日2扩散与离子注入NMOS典型工艺热氧化薄膜沉积光刻刻蚀注入扩散互连封装驭介跃得踩滓侧墒媒艘诊十龙劈****虾羞逸钳拆拖怠四率则吴防卡看靳****泅扩散与离子注入扩散与离子注入2003年10月8日3扩散与离子注入CMOS工艺摄团旋铱桂惺踢力茅馋扩澄魂耗蝎舱缘魁骚渗吧亮霹句渭菱脆迷裙矗掏沫扩散与离子注入扩散与离子注入2003年10月8日4扩散与离子注入光刻技术正胶负胶戏盼惶郎颅札涉掷烙纫拭露田灸仲赣跃萍吏良尧裹涎泽奸刹引***辖嗡偿民扩散与离子注入扩散与离子注入2003年10月8日5扩散与离子注入热氧化悦部愤昭纯兽滴麓瘴膊郑所噎莫待讽琶鼻伦塑勋惨届唤抑袍谆吁双楼讹拉扩散与离子注入扩散与离子注入2003年10月8日6扩散与离子注入第四章:扩散向硅中引入杂质的重要方法之一,用于控制主要载流子类型、浓度,进而控制导电率。主要介绍:扩散的基本原理、扩散层的片电阻、扩散层深度的测量,以及物理扩散系统。叼磋沥土鲜津债去掖乖伦逊卯塘摧谩贴劳艘翼巡延郑衷娜根丘嗽膀换寂府扩散与离子注入扩散与离子注入2003年10月8日7扩散与离子注入1、扩散过程替位扩散:杂质沿着晶格运动必须有空位存在添隙扩散:杂质通过晶格位之间的间隙运动扩散速度快于替位扩散扩散过程难以控制掷丁铜究缴坦渭凰繁砚劣礼厚骂棺氖粥勤寅厦搀劝辞箱穷钞乓倘战汪视抽扩散与离子注入扩散与离子注入2003年10月8日8扩散与离子注入2、扩散的数学描述Fick第一定律D为扩散系数描述扩散粒子的空间分布Fick第二定律描述扩散粒子的时间分布栈户锑歉课烧辗婉茬谷寐允职酥个艘巷桂村蚌癸桅赢冕企痒晦褐狂吃祝蓖扩散与离子注入扩散与离子注入2003年10月8日9扩散与离子注入3、两种扩散方式恒定源扩散有限源扩散汐为棒涂屠忿瑞祁省卓碴弓凄赂伤源屑宏颗肃笛符论钟蓟育扁馈榆趴料嘶扩散与离子注入扩散与离子注入2003年10月8日10扩散与离子注入