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扩散与离子注入2003年10月8日1扩散与离子注入典型MOS工艺回顾NMOS结构2003年10月8日2扩散与离子注入NMOS典型工艺热氧化薄膜沉积光刻刻蚀注入扩散互连封装2003年10月8日3扩散与离子注入CMOS工艺2003年10月8日4扩散与离子注入光刻技术正胶负胶2003年10月8日5扩散与离子注入热氧化2003年10月8日6扩散与离子注入第四章:扩散向硅中引入杂质的重要方法之一,用于控制主要载流子类型、浓度,进而控制导电率。主要介绍:扩散的基本原理、扩散层的片电阻、扩散层深度的测量,以及物理扩散系统。2003年10月8日7扩散与离子注入1、扩散过程替位扩散:杂质沿着晶格运动必须有空位存在添隙扩散:杂质通过晶格位之间的间隙运动扩散速度快于替位扩散扩散过程难以控制2003年10月8日8扩散与离子注入2、扩散的数学描述Fick第一定律D为扩散系数描述扩散粒子的空间分布Fick第二定律描述扩散粒子的时间分布2003年10月8日9扩散与离子注入3、两种扩散方式恒定源扩散有限源扩散2003年10月8日10扩散与离子注入
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