金属铝诱导低温晶化非晶硅薄膜研究.doc

金属铝诱导低温晶化非晶硅薄膜研究
第28卷第6期
2006年6川
武汉理工大学
JoURNALOFWUHANUNIVERSn1YOFI_ECHN0LDGY

Jun

2006
金属铝诱导低温晶化非晶硅薄膜研究
杨晟,夏冬林,徐慢,赵修建
(武汉理丁大学硅酸盐材料1_程教育部重点实验室,武汉430070)
摘要:采用PECVI)法在镀铝的玻璃衬底上生长非晶硅薄膜,然后样品在氮气气氛下温度为500℃的条件下退火,成
,RAMAN,SEM等测试方法,研究了不同铝膜厚度的非晶硅薄膜诱导
晶化的过程实验结果表明,铝膜厚度较厚的样品在500℃下退火lh晶化为较好的多晶硅薄膜,而铝膜较薄的样品热
处理后仍为非晶硅薄膜
关键词:铝诱导晶化;低温晶化;非晶硅薄膜;多晶硅薄膜
中图分类号:I’N304文献标志码:A文章编号:l671—443l(2006)06—0007—03
StudyonAluminum-inducedCrystallizati0nofAmorphousSilicon
ThinFilmsatLowTemperature
YANGSheng,XIADong-lin,XUMan,ZHAOXiu-jian
(KeyLaboratoryofSilicateMaterialsScienceandEngineeringofMinistryofEducation,
WuhanUniversityofTechnology,Wuhan430074,China)
Abstract:Amorphoussilicon(a—Si)thinfilmsweredepositedonaluminum—coatedglasssubstratebyPECVDandthencrys—
tallizedbyaluminum—inducedcrystallization(A1C)at500℃.TheAICpoly—SithinfilmswerecharacterizedbyXRI),Raman
’,,<ampleofthick—
erAIlayersgaverisetobettercrystallinityannealedat500℃for1h,whilethe,sampleofthinnerAIlayersremainamorphous
.
Keywords:aluminum-inducedcrystallization;lowtemperaturecrystallization;amorphoussiliconthinfilms;polycrys—
ta…nesiliconthinfi】ms
大面积均匀的多晶硅薄膜在薄膜晶体管,太阳能电池,图像传感器等微电子技术领域具有广阔的应用前
景,目前大量的研究工作正致力于在普通玻璃衬底上制备多晶硅薄膜用以生产诸如太阳能电池等大面积的
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