ZnO薄膜制备及其掺杂研究.pdf

半高宽删.。,在图中并没有观察到宓钠渌虻难∧さ闹票讣捌洳粼友芯摘要与其它几种宽禁带发光材料如相比,且恢趾鲜实挠糜谑常用的薄膜技术如磁控溅射、、饶茉诮系偷纳の度下制备出较好晶体质量的∧ぁ4趴亟ι浼际跤捎谄洳僮骷虮悖应条件可控性等优势,是一种常用的∧ぶ票讣际酢1狙芯坎捎蒙淦磁控溅射法在石英衬底上制备了具有恢嵩裼湃∠虻难趸勘∧ぁMü控制工艺参数在石英基片上制备纯∧ぃ狝狽一气氛中溅射靶实现了∧さ腘掺杂;利用双靶共溅的方法分别制备了掺杂、共掺杂和共掺杂∧ぁM保颐翘教至顺Q氧分压的降低以及功率的增强有利于晶粒的长大;直流溅射晶粒具有更好的嶂慈∠颍籒源分压在一定范围内可得到较高质量的∧ぃ籒膊粼友繁華粼友肪哂薪虾玫谋砻嫫秸取薄膜的湎哐4Φ母咔慷妊苌浞謇丛从,衍射峰的近年来,蓝绿光发光管、激光器及其相关器件以其潜在的巨大市场应用成为研究的热点。V苯哟兜目斫氲继宀牧希椅孪陆度为沂考ぷ幽芨叽,比室温热离化能蠛芏啵温或更高温度下的紫外光发射材料,可制备出紫外波段的探测器、等光电子器件,同时牧弦补惴河τ糜谘沟绱ǜ衅鳌⑸砻媛瞬ㄆ等领域。ㄖ票傅腪薄膜和纳米管的相关性质。用各种检测技术对薄膜的晶体特性及表面结构进行表征。原子力显微镜治隽烁鱖薄膜样品的晶体状态,我们发现,退火处理及提高衬底温度能够显著提高薄膜的结构状态;镀膜时间增加、射图显示东华大学硕士学位论文
射带。这三个发射带可能是被激发到更高激发态上的电子到瘴荒芗丁射峰,而只观察到较虻难苌浞澹獗砻鱖薄膜沿较蛟裼派で具有较好的晶体质量。同时我们发现,退火处理有利于薄膜晶粒的岱向择优取向并提高晶体质量。研究了这些薄膜的紫外一可见吸收光谱、激发光谱、光致发光谱和拉曼光谱特征,利用椭圆偏振法测试了其折射率。纯∧ず筒粼友贩别在和鱿置飨缘奈辗澹粼友返奈毡呙飨韵蚨滩方向移动,直流溅射比射频溅射样品具有更好的紫外吸收,作为吹牟同气体比率的变化对透过率的影响不同,掺杂和共掺样品的吸收边向短波方向移动显著。我们将吸收峰归结为束缚激子的吸收,而吸收边移动则是由掺杂元素的施主和/或受主性质使导带底部和/或价带项部的能级分别被电子和空穴占据所引起的。光致发光谱图中观察到相对较强的荧光发射,且粼友繁任床粼友烦氏至私锨康挠ü夥⑸洌粼友返发射峰出现了一定程度的红移。在ǔぜし⑾拢粼友吩和浇墓夥⑸浔任床粼友酚忻飨栽銮俊T波长激发下,最大发射峰出现在,同时在和浇鱿中碌姆束缚激子能级和导带底部时的发光,其它发光峰可以归结为自由激子、束缚激子和氧空位能级到填隙能级的发光。室温下不同方法制备的薄膜与标准粉末具有相似的拉曼光谱特征,但薄膜的拉曼谱峰总体较弱。优化工艺条件后,利用共溅方法制备了具有良好光学性质和崛∠的共掺杂∧ぁ膊鬦薄膜的砻髦挥衂的衍射峰,这说明样品没有第二相存在,掺杂的离子完全取代了部分离子的位置,掺杂薄膜具有较好的崛∠蛐裕彝嘶鸫砗螅苌浞迕显增强。共掺样品的拉曼谱峰形与典型的拉曼谱峰形相似,退火处理后,声子模式奶卣骼逵兴銮浚得骶逯柿坑兴善。透射光谱显示了位于笥业奈辗澹孀臚泄β实脑黾樱透过率有下降的趋势,但吸收峰没有变化。东华大学碗士学位论文Ⅱ
掺缮こ龈咦璧腪薄膜,电阻率提高到了·。折射率的定性测定表明,掺杂后样品的折射率都有明显变化,对于掺氛凵率的变化较明显,且不同炊哉凵渎实墓毕子兴煌鬉返恼射率比纯恼凵渎事缘停琋膊粞酚捎贜和共同作用折射率变化不明显,掺返恼凵渎拭飨愿哂谄渌贰M蔽颐且卜治隽薢∧さ牟粼踊怼W詈螅辛薢基相关器件的设计。关键词:∧ぃ粼樱趴亟ι洌恿ο晕⒕担庵路⒐
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学位做作者挚融淮:以年;。月眵日东华大学学位论文原创性声明附件一:指导下,独立进行研究工作所取得的成果。除文中已明确注明和引用的内容外,本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的作品及成果的内容。论文为本人亲自撰写,我对所写的内容负责,并完全意识到本声明的法律结果由本人承担。本人郑重声明:我恪守学术道德,崇尚严谨学风。所呈交的学位论文,是本人在导师的
日期:触弓月日期:‘日期:如游;月洎东华大学学位论文版权使用授权书附件二:学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定,同意学校保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版,允许论文被查阅或借阅。本人授权东华大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印,,在年解密后适用本版权书。: