脉冲激光沉制备ZnO薄膜及其掺杂研究.pdf

诓煌牡孜露认轮票噶薢薄膜,衬底温度娲嫜返腦结果诓煌珹粼雍康奶跫律薄膜,砧含量为卜%的样品要摘哂辛窍诵靠蟮木褰峁梗且恢种苯哟兜目斫氲继宀牧希温下的带隙宽度为ぷ邮磕芨叽。由于具有大的束缚能,激子更易在室温下实现高效率的激光发射,是一种适用于在室温或更高温度下应用的短波长发光材料。因此,在平面显示器、太阳能电池透明电极、气敏元件等光电子器件领域有着广阔的应用前景,成为半导体领域里的一个研究热点。本论文系统地研究了采用緍挤肿勇龀寮す獬粱际踔票竄薄膜的工艺和性质,用以及霍尔测量等测试手段对闹票腹ひ蘸筒粼咏辛朔治觥5玫揭表明其都具有崛∠虻纳ぬ匦浴K孀懦牡孜露鹊纳撸琙苌浞宓陌清晰可见。衬底温度为嫔さ难肪哂薪锨康淖贤夥⑸洹诓煌难跗沽ο律ち薢薄膜,在氧气氛围中生长的诓煌募す馄德氏律薄膜,在す馄德手猩さ腪薄膜嵩裼湃∠蛄己谩5奔す馄德饰时,薄膜质量最好,这可能是因为激光结果表明其都具有崛∠虻纳ぬ匦浴K孀鹏康脑黾樱琙薄膜的主峰阻率最低,这可能是由于砧作为施主态原子的加入引起了载流子浓度的增加,使电阻率降低。然而,当掺杂含量大于%时,随着灿质量分数的进一步增加,电阻率反而上升,可能是由于砧在杏邢薜墓倘芏龋康摹硬可能完全进入Ц裰校行隣作用形成了不导电的~裕共分晶格处于无序状态,反而阻碍了电子的运动。关键词:∧ぃ宦龀寮す獬粱徊粼樱还獾缣匦湎哐苌、荧光光谱、扫描电子显微镜⒃恿ο晕⒕下结论:高宽减小,薄膜的晶体质量有所提高。娉粱难繁砻嫫秸⒅旅埽缑薄膜嵩裼湃∠蛄己谩5毖跗沽ξ保苌浞遄钋浚∧け砻嫘蚊睬晰,紫外峰强度增大,这可能是由于∧さ囊恍┬
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学位论文作者签名:乏≮亿导师签名:叶钏学位论文作者签名:毛专吨签字日期:护扩年号岁签字日期:加曙年厂月;独创性声明学位论文版权使用授权书本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。据我所知,除了文中特别加以标注和致谢的地方外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为获得或其他教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表本学位论文作者完全了解江西师范大学研究生学院有关保留、使用学位论文的规定,有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘,允许论文被查阅和借阅。本人授权江西师范大学研究生学院可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编学位论文。C艿难宦畚脑诮饷芎笫视帽臼谌ㄊ签字日期:伊辍略腥示谢意。
第一章绪论引言近些年来,宽禁带半导体材料由于其在高功率和高频器件、紫外探测器、’短波长发光二极管、激光器及其相关器件器件方面的潜在应用而引起了人们的年以来,日本科学家在约跋喙豂族氮化物合金的研究中取得重大进展,成功开发出渡ǚ⒐舛ü芎图す舛ü埽笳吣茉谑椅孪铝续长时间稳定工作。目前堵坦釲己实现商品化,在年日亚公司利用兄频睦豆釲ぷ魇倜撼小时【俊然而,灿幸恍┎蛔悖鏕基的器件由于原材料昂贵因而成本较高,而且通常巧ぴ诮瞎蟮睦侗κ牡咨希籊的制备需要很高的温度,‘一般在℃以上;母垂ひ找脖冉细丛雍屠选U庑┎蛔愦蟠笾圃剂薌的实际应用。因此,人们希望能找到与牧闲灾氏嘟⒛芸朔礼材料不足的替代品。其中褪潜秆√娲牧现械馁摺薄膜由于具有和相似的晶格结构,其禁带宽度也近于相等且对衬底没有苛刻要求,而且很容易成膜,已成为人们重点研究的对象【弧俊L乇鹗晗愀劭萍即笱У腡首次报导了∧さ墓獗闷纸贤馐芗し⑸湎窒蟆】,并发现和氮化镓相比哂屑す忏兄档汀】、高温工作、成本低以及易刻蚀而使后继工艺加工更方便等优点,在某些应用领域显示出比蟮姆⒄骨绷Α耆毡竞拖港科学家合作研究得到了氧化锌薄膜的近紫外受激发光,开拓了氧化锌薄膜在’’为题对此作了专门报道【俊近紫外光发射⑸洳ǔの比氮化镓的蓝光发射具有更短的波长并且在室温下可观察到激光发射现象。因此,⒐夤堋⒓す馄骱妥贤夤馓测器等有可能取代或部分取代獾缙骷部捎隚互作缓冲层、用于光电器件的单片集成、制作表面声波器件。淖贤饧す庋芯砍晌<蘂的蓝光热之后的又一热点【引。∧な且恢止庋该鞅∧ぃ氲;叵啾龋洹作为一种具有六方结构的自激活宽禁带半导体材料,以较大的禁带宽度.、较高的激子结合能】奶氐阍谀壳俺S玫陌氲继宀牧广泛关注。.发光领域的应用【俊8醚芯砍晒⒈砗螅诠噬弦鹎苛曳聪欤癝”第硪浴癢脉冲激光沉积制备∧ぜ捌洳粼友芯一’。’
幕拘灾中首屈一指,这一特性使它具备了室温下短波长发光的有利条件;纯捌掺杂薄膜具有优异光电性能,用途广阔,而且原料易得、价廉、毒性小,成为最有开发潜力的