单晶制绒工艺培训 ppt课件.ppt

单晶制绒工艺培训工艺部ppt课件主要内容制绒目的制绒原理RENA制绒工艺流程工艺常见问题以及解决方法制绒工序岗位职责注意事项*制绒目的􀂙消除表面硅片表面有机沾污(HF)和金属杂质(HCL)􀂙去除硅片表面的机械损伤层,减少表面复合中心􀂙在硅片表面形成绒面,增加太阳光的吸收减少反射,增加PN结面积,提高短路电流(Isc),最终提高电池光电转换效率绒面不仅仅是腐蚀坑洞,也是改善表面态的有效手段,绒面制作不好表面态难以补偿,悬挂键大幅度增加,少子寿命复合严重,Isc的提高几乎不可能。*多晶硅切割过程切割过程中会形成机械损伤层,约10微米*陷光原理光在光滑半导体薄片表面陷光原理图上的反射、折射和透射当入射光入射到一定角度的斜面,光会反射到另一角度的斜面形成二次吸收或者多次吸收,从而增加吸收率。*在绒面硅片上制成PN结太阳电池,它有以下特点:绒面电池比光面电池的反射损失小,如果再加减反射膜,其反射率可进一步降低。入射光在光锥表面多次折射,改变了入射光在硅中的前进方向,不仅延长了光程,增加了对红外光子的吸收,而且有较多的光子在靠近PN结附近产生光生载流子,从而增加了光生载流子的收集几率。在同样尺寸的基片上,绒面电池的PN结面积比光面大得多,因而可以提高短路电流,转换效率也有相应提高。绒面也带来了一些缺点:一是工艺要求提高了;二是由于它减反射的无选择性,不能产生电子空穴对的有害红外辐射也被有效地耦合入电池,使电池发热;三是易造成金属接触电极与硅片表面的点接触,使接触电阻损耗增加。*好的织构化效果很好的织构化可以加强减反射膜的效果左图中蓝色线为抛光后的Si的反射图,经过不同织构化处理之后的反射图。右图为在织构后再沉积SiNx:H薄膜的反射光谱图。*二、制绒原理单晶制绒利用低浓度碱溶液对硅片的不同晶面各项异性腐蚀形成金字塔结构。化学反应如下:*腐蚀速率快慢由下列三个反应速度来决定。1、腐蚀液流至被腐蚀物表面的移动速率;2、腐蚀液与被腐蚀物表面产生化学反应的反应速率;3、生成物从被腐蚀物表面离开的速率。*腐蚀的反应物和生成物是利用腐蚀液之浓度梯度然产生的扩散现象来达到传质的目的。所以,1、3又可称为扩散限制溶解过程(diffusion-limiteddissolution),通过搅拌可以提高。2的速率取决于腐蚀温度、材料、腐蚀液种类及浓度,和搅拌方式无关,被成为反应限制溶解过程(reaction-ratelimiteddissolution)。各向异性就是由化学反应的各向速率不同造成的。*