成本降低报告.ppt

AUO Proprietary & Confidential
Improvement Subject
Indirect Material Cost Down
(课题达成型)
Dept.
S02J2
QIT—10—9075
AU improvement no.
Step
0
基本资料 Basic information
Step
0
基本资料 Basic information
上期OEE改善目标设定为80%,目前OEE稳定在65%左右,2007年4月以后达到70%以上,%.
受MA B/L品
质问题影响
受MA B/L品
质问题影响
资料来源:EPMS
上期效果追踪:
Step
1
主题选定
Subject setup
选题理由:单片间接耗材成本是衡量各工厂制造成本的重要指标,因此作为重点改善项目, 下图为S02厂2006年的IDM Unit Cost Trend Chart
主题选定:Indirect Material Cost Down
2006-Q2 S02建厂初期受多方面因素影响导致IDM Cost较高
结论:虽然IDM(Indirect Material)单片成本一直有下降趋势,但还没有达到理想的水准.
柏拉图
Step
2
收集时间:~ 资料来源:财务报表
结论: Silicone, Teflon, Wiper(无尘布)占IDM总成本的81%。因此IDM cost down重点改善放在前三项:即降低 Silicone, Teflon, Wiper的成本.
攻坚点
课题明确与目标设定Problem definitude and target setup
名词定义:
间接耗材总成本
产能
单片间接耗材成本=
=
总的使用量 X 价格
产能
=
单片耗材的使用量 X 价格
单片间接耗材成本: 即生产每片panel所花费的间接耗材成本.
Step
2
结论:从公式中可知单片间接耗材成本的决定因素为单片耗材的使用量和价格,由于价格受很多因素的影响不作为改善项目.
因此将减少单片耗材用量作为本次改善的重点.
课题明确与目标设定Problem definitude and target setup
目标设定:
Step
2
根据S02厂2006年Q4季度Silicone, Teflon, Wiper单片用量为改善现况
附注:现况(2006-Q4)数据来源产线领用记录表
分别拟订设定目标和挑战目标!
课题明确与目标设定Problem definitude and target setup
项目
攻坚点
对策评估
减少单片
耗材使用
量
①减少Teflon单片用量
减小每片转动Pitch;增
加压着次数;换用新型缓
冲材等
②减少Silicone单片用量
③减少无尘布单片用量
增加清洁次数等
Step
3
攻坚点发掘表
整体效果确认
方策拟定 Action study
Step
3
Process Map
PCB Bonding Process
23 Input X From Process Map
结论:通过Process Map找出影响单片用量的可能因子Xs
方策拟定 Action study
Step
3
C&E Matrix
11 Xs From C&E:
Buffer sheet :Type
Bonding Parameter: Time
Frequency
Pitch
Buffer sheet :Strength
Bonding Parameter: Temp
Bonding Parameter: Press
Buffer sheet :length
Waste buffer sheet’s beginning
Waste buffer sheet’s End
Roughness
结论:由因果矩阵图(C&E Matrix )来帮助找出对单片用量有重要影响的Xs
方策拟定 Action study