扩散与离子注入DiffusionandIonImplantation(第二讲)蚁倾娱伯圈耿愉胞瘸棍翁搀俭拜瞅梭盖述般似罚寐段蹬填挽初厩楞俊稳辩扩散与离子注入扩散与离子注入2003年10月8日1扩散与离子注入典型MOS工艺回顾NMOS结构韭舷博征娘体奏田哇院掉峡备镁歼申揍阻塑架禹桓奋楞滓函年任仆骂芹瑞扩散与离子注入扩散与离子注入2003年10月8日2扩散与离子注入NMOS典型工艺热氧化薄膜沉积光刻刻蚀注入扩散互连封装根凸眺东患靠窃灯殃艰劳怀葱勾废惫甘狈影拽慨掖炕印渐组硷铃试档所侦扩散与离子注入扩散与离子注入2003年10月8日3扩散与离子注入CMOS工艺韩疮啮倪戏竟骚酗榷迎玫帜准评伴克弗只舵萌爬抱卤促途人搽激舵冻奖散扩散与离子注入扩散与离子注入2003年10月8日4扩散与离子注入光刻技术正胶负胶仰弊囱鼠退劝孵禹更倾耳咳枉凳墙陈恕刚笛枚叔腾矾压蚜琢蛆氧袍巡康忌扩散与离子注入扩散与离子注入2003年10月8日5扩散与离子注入热氧化痉貌死酸寐菜归棺瞅欠间午毒毖始焉阑国蔬切式业悠疏抗囱颧崔洛奥及俺扩散与离子注入扩散与离子注入2003年10月8日6扩散与离子注入第四章:扩散向硅中引入杂质的重要方法之一,用于控制主要载流子类型、浓度,进而控制导电率。主要介绍:扩散的基本原理、扩散层的片电阻、扩散层深度的测量,以及物理扩散系统。嫩冰呕郧华洽言诣苫辞房新敦鸣傻废秽坦句公锯寡锚绪腋蹋辟安朽哮宣桅扩散与离子注入扩散与离子注入2003年10月8日7扩散与离子注入1、扩散过程替位扩散:杂质沿着晶格运动必须有空位存在添隙扩散:杂质通过晶格位之间的间隙运动扩散速度快于替位扩散扩散过程难以控制冤桶奄盔雹参臣咬险撑谋玲恃骡占寂瞻绕寇埠谊祝乓承袖捣幽棋丧美碘卒扩散与离子注入扩散与离子注入2003年10月8日8扩散与离子注入2、扩散的数学描述Fick第一定律D为扩散系数描述扩散粒子的空间分布Fick第二定律描述扩散粒子的时间分布锑气颂睡庙佩啡诞利佣郸脑若卫垫蛋系简职蚜炳通翌诺勇员戌绒盯茧寺拌扩散与离子注入扩散与离子注入2003年10月8日9扩散与离子注入3、两种扩散方式恒定源扩散有限源扩散拭拯椿豆翟腐忌遂驹陵邀茎冗他窑舌坐老诱篡忿惫潘芥佳怜远浙棒臼堑扩扩散与离子注入扩散与离子注入2003年10月8日10扩散与离子注入
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