半导体金属氧化物纳米结构的制备及性能研究.pdf

硕 士 学 位 论 文


半导体金属氧化物纳米结构
的制备及性能研究

研究生姓名：刘金城
导师姓名：李酽 教授

2015 年 5 月 4 日
分类号： 密 级： 公 开
UDC ： 620 学 号： 1206003

中国民航大学
硕 士 学 位 论 文

半导体金属氧化物纳米结构
的制备及性能研究

研究生姓名：刘金城
导师姓名：李酽 教授



申请学位级别：工学硕士 学科专业名称：材料科学与工程
所在院系：理学院 论文答辩日期：2015 年 5 月 7 日


2015 年 5 月 4 日
Study on the preparation and properties of
semiconducting metal oxides
nanostructures


A Dissertation Submitted to
Civil Aviation University of China
For the Academic Degree of Master of Engineering


BY
LIU Jin-cheng
Supervised by
Prof. Li Yan


Civil Aviation University of China
May 2015
IV
摘要
半导体金属氧化物是一种重要的功能材料，在电子器件、催化剂、能量存储以及生
物工程等领域得到了广泛的应用，逐渐成为纳米材料领域的研究热点。迄今为止，人们
研究较多的半导体金属氧化物主要包括: ZnO、SnO2、TiO2、In2O3、Cu2O、Fe2O3、Co3O4
以及 WO3 等，作为 n 型宽禁带直接带隙半导体材料，ZnO 和 SnO2 在金属氧化物的研究
中具有重要地位，因此选定