电沉积法制备sns薄膜.doc

------------------------------------------------------------------------------------------------ ——————————————————————————————————————电沉积法制备 SnS 薄膜 JournalofOptoelectronics?Laser Sep. 光电子? 激光第 13卷第9期 2002 年9月 2002 X 杜金会 1, 于振瑞 1, 张加友 1,杨嘉 1, 郭淑华 2 (1. 军事交通学院基础部, 天津 300161;2. 南开大学化学学院,天津 300071) 摘要: 采用了电沉积法在 SnO2 透明导电玻璃上制备了硫化锡(SnS) 薄膜, 并对用电化学法实现 Sn和S 共沉积的条件参数进行了理论探讨。实验中, 利用 SnCl2 和 Na2S2O3 的混合水溶液作为电沉积液制备了均匀的 SnS 薄膜, 对实验参数进行了优化。对薄膜进行了 X- 射线衍射(XRD) 、扫描电子显微(SEM) 测量及光学测试。实验发现, 制备的薄膜为多晶的斜方晶系结构, 晶粒大小约为 150nm, 直接光学带隙在 ~ 之间可调。关键词: 太阳能电池; 硫化锡(SnS) 薄膜; 电沉积法; 光学带隙中图分类号: 文献标识码:A 文章编号:1005-0086(2002)09-0889-04 SnSThinFilmsPreparedbyElectrodeposition 11112DUJin-hui,YUZhen-rui,ZHANGJia-you,YANGJia,GUOShu-hua ------------------------------------------------------------------------------------------------ ——————————————————————————————————————(,InstituteofMilitaryTraffic,Tianjin300161; emistry,NakaiUniver-sity,Tianjin300071,China) Abstract:SnSthinfilmsontinoxidetransparentconductingglasssubstrateswe repreparedbyelec-trodepositionmethodfromaqueoussolutioncontainingS -chemicalco-depositionoftinan dsulphurwasexplored,andtheinfluenceoffabricationcondition(suchasthec oncentrationratioofSnCl2andNa2S2O3,urrentdensity) eswerecharacterizedwithXRD,-depos rystallinestructureandgra - ychangingthedepositionparameters. Keywords:Solarcells;SnSthinfilms;Electrodeposition;Opticalbandgap 1引言随着对太阳能电池的研究和开发, 有关廉价、高效的太阳能转换材料的研制越来越受到重视。硫属化物是一类重要的光电材料, 由于其独特的光电特性而被广泛地应用于太阳能电池及电致发光显示器的制造。其中, 利用 CdS 、 CdSe 等可以制备出高效化合物半导体太阳能电池,ZnS 也已成为目前薄膜电致发光材料的研究热点[2,3] 。近年来, 人们对无毒、环保的硫属化物材料的研究给予了极大的重视,而硫化锡(SnS) 就是其中的一种。文献报道------------------------------------------------------------------------------------------------ ——————————————————————————————————————[4,5] [1] ~