LED芯片来料检验规范.doc

LED芯片来料检验规范.docLED芯片来料检验规范
LED芯片来料检验规范
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LED芯片来料检验规范
LED CHIP IQC 检验规范
目的
制订 LED CHIP FQC 检验规范。
订定成品入库批允收程序，以确保产品质量达一定水平。
范围
本公司生产之所有 LED 产品均属之。
内容
检验测试项目
光电性检验
外观检验
数值标示检验。
抽样计划（片数定义：芯片片数）
依「产品检验抽样计划」 (WI-20-0101) 抽片执行检验。
光电特性检验（ V FH、V FL、 IV ）
（1）抽样位置：分页片边缘 4 颗，分页片内围 6 颗，均匀取样。
（2）抽样数量：每片 10 颗。
（3）每片抽样数，每一颗不良，则列一个缺点。
外观检验
（1）PS TYPE 不良晶粒＞ 2ea／ sheet，列入一个缺点。
（2）NS TYPE 或 PS TYPE 分页面积最长距离＜ cm 者，不良晶粒＞
5ea／sheet，且＞ 10 ea／wafer 列入一个缺点。
（3）缺点项目之限样标准由制造、 FQC 两单位共同制作， 作为人员检验之依据。 缺点等级代字
主要缺点代字： MA （Major ）。
次要缺点代字： MI （ Minor ）。
参考文件
本公司产品目录规格书
研发工程产品测试分类规格
其它相关之质量文件
光电特性检验
顺向电压 V FH
依特定之额定电流点测，须低于规格上限。
规格上限应参考测试分类规格及 GaP、 GaAsP、 AlGaAs 产品 T/S 前测站
作业指导书。
缺点等级： MA
顺向电压 V FL
依特定之额定电流点测，须高于规格下限，低于上限。
规格： GaP≧ ，GaAsP≧， AlGaAs (≦V FL≦ ) ，IR
(~ V)。
缺点等级： MI
亮度 Iv / Po
依特定之额定电流点测，须高于规格下限。
规格下限应参考测试分类规格及各产品 T/S 前测站作业指导书判定。
缺点等级： MA
外观检验﹙共同标准﹚
检验项目
说
明
图
示
缺点等级

晶粒厚度
同一芯片晶粒厚度差≦ 2 mil
MA
UR 同一芯片晶粒厚度差≦ 3 mil

正面电极
电极中心点 1/3 半径范围内，不得有任何异常
电极
MA
(不含刮伤 )
R/3
电极破损 、 铝泡 （金泡）、非化学药水污染
(沾胶
MA
、杂物、硅胶粒、 Ink )、重工造成之金属残印子
(如残钛 )面积应≦ 1/5 原电极面