LED芯片来料检验规范.doc

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LED芯片来料检验规范
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LED芯片来料检验规范
LEDCHIPIQC检验规范
目的
。
,以保证产质量量达必定水平。
范围
本公司生产之全部LED产品均属之。
内容

光电性检验
外观检验
数值标示检验。
(片数定义:芯片片数)
依「产品检验抽样计划」(WI-20-0101)抽片执行检验。
光电特征检验(VFH、VFL、IV)
(1)抽样地址:分页片边沿4颗,分页片内围6颗,均匀取样。
(2)抽样数目:每片10颗。
(3)每片抽样数,每一颗不良,则列一个弊端。
外观检验
(1)PSTYPE不良晶粒>2ea/sheet,列入一个弊端。
(2)NSTYPE或PSTYPE分页面积最长距离<,不良晶粒>
5ea/sheet,且>10ea/wafer列入一个弊端。
(3)弊端项目之限样标准由制造、FQC两单位共同制作,作为人员检验之依照。
主要弊端代字:MA(Major)。
次要弊端代字:MI(Minor)。

本公司产品目录规格书
研发工程产品测试分类规格
其他相关之质量文件
光电特征检验

依特定之额定电流点测,须低于规格上限。
规格上限应参照测试分类规格及GaP、GaAsP、AlGaAs产品T/S前测站
作业指导书。
弊端等级:MA

依特定之额定电流点测,须高于规格下限,低于上限。
规格:GaP≧,GaAsP≧,AlGaAs(≦VFL≦),IR
(~)。
弊端等级:MI

依特定之额定电流点测,须高于规格下限。
规格下限应参照测试分类规格及各产品T/S前测站作业指导书判断。
弊端等级:MA
外观检验﹙共同标准﹚
检验项目
说
明
图
示
弊端等级

晶粒厚度
同一芯片晶粒厚度差≦2mil
MA
≦3mil

正面电极
,不得有任何异常
电极
MA
(不含刮伤)
R/3
电极破坏、铝泡(金泡)、非化学药水污染
(沾胶
MA
、杂物、硅胶粒、Ink)、重工造成之金属残印子
(如残钛)面积应≦1/5原电极面积。
电极刮伤自动用
PS应≦1/5原电极面积
MA
材质:AlGaInP适用
电极扩大减小:
倍<原订值φ<
倍
MA
二道偏移应≦
倍
MI
电极偏移a/b≦2/1
MA
a
b
电极不得有铝黄、
药水污染
MA
自动用PS电极不得有粗糙程度不一
致影响机器
MA
辨视
长脚电极断裂应≦
1
只脚面积
MA
PowerChip(524,540
相关产品)Pad不行形成掉脚
长脚电极减小宽度
(B)应≦1/2原宽度(A)
MA
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晶粒污染、沾胶、药水残需≦1/5
发光区面积
全切晶粒未切穿者不作
PS
(半切晶粒及手动用
NS之未切穿面积应≦1/5
原晶粒面积)
晶粒切割内斜需≦
1/10
原晶粒面积
晶粒不得为长方形
|b/a|≧90%
检验项目说明
,最宽处须
≦1mil

自动用(PS)应≦1/5发光区面积
手动用(NS)A/B≦2/1
≦1/5电极面积
≦1/5原发光面积且刮伤宽度应
10μm/line
,DR,UR氧化层膜零落面积
一般规格(NX、NL、PX)应≦1/2原发光区面积
均匀性规格及自动用(PS)应≦1/5原发光区面积
(PD、ND、PM)
(金)线长度应1/2电极长度

?正面伤害、暗伤面积应≦1/5单边长界限内
均匀性产品不得有暗伤
≧1/2应有总面积
≦1/2原晶粒面积
反面伤害面积应≦
1/5原晶粒面积
GaP产品8mil
背崩面积应≦1/3原晶粒面积
TK508SRT,UYT
背崩面积应≦1/2原晶粒面积

同一排晶粒摆列倾斜需≦
1颗晶粒
相邻之晶粒,摆列不齐需≦
1/2晶粒
晶粒角度不正≦±
30°
晶粒倾倒≦2ea/sheet
晶粒间距自动用
PS不得超出
~
倍
晶粒宽,手动用
NS不得超出
~
倍晶粒宽
晶粒摆列自动用
PS
空洞超出5ea×5ea应≦2处/sheet(含芯片外头有凹洞者)
空洞率应≦20%

A
B
MA
MA
MA
MA
b
a
图示弊端等级
MA
AMA
B
MA
MA
MA
MA
MA
MA
MA
MA
MA
1chip
MA
1/2chip
MA
MA
MI
~(PS)
~(NS)
5×5
MA
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补洞应单边每颗补齐,不得倾斜。
:分页面积最长距离应≦
检验项目说明

?分页面积最长距离应≦
?8milSR、NR分页面积最长距离应≦
≧
、次级品,可并片。
PS并片规格:
并片片数:应≦3片
每片间隔:14Mil以下应6+2mm
16Mil以上应7~9mm
单片数目:≦12Mil(每小片最少1000ea)
≧14Mil及112UR(每小片最少500ea)
116IRS≧
其他IR≧1K
晶粒方向:以平行为原则
并片限制:同片始可并片
编码:同一般

MA

图示弊端等级
MA

MA

MA
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数值标示检验

实行项目:YGS、HO、HY、UR、IR、四次元、RD、
手动用(NS)≧1Kea
四次元16mil以上(含)应≧
自动用分页片数目
IR系列、UR产品应≧1Kea。
四次元产品8~10mil应≧2Kea,11~14mil应≧1Kea,16mil以上(含)应≧
其他产品应≧3Kea
外头分页片数目≧
400ea,PS≧1/4圆片
不得有毛屑、污渍、剩余之零散晶粒
不得有破坏、刮伤
不得有明显之晶粒、隔板印迹
晶粒与晶粒间不得有
tape的胶丝节余
自动用(PS)晶粒,电极与发光区比较要明显
四次元产品掉ITO
者为良品
自动用((PS)MESA晶粒,单边边长应≧7mil
≧5mil

MA
MA
MA
MA
MA
MA
MA
MA
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检验项目说明
、批号要与产品吻合
,与质量卷标之标示值、片号要一致


弊端等级
MA
MA
MA
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≦45片MI
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