LED芯片来料检验规范.doc

LED芯片来料检验规范
LED芯片来料检验规范
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LED芯片来料检验规范
LEDCHIPIQC检验规范
目的
。

≦1/5电极面积
≦1/5原发光面积且刮伤宽度应
10μm/line
,DR,UR氧化层膜脱落面积
一般规格(NX、NL、PX)应≦1/2原发光区面积
均匀性规格及自动用(PS)应≦1/5原发光区面积
(PD、ND、PM)
(金)线长度应1/2电极长度

?正面损伤、暗伤面积应≦1/5单边长界限内
均匀性产品不得有暗伤
≧1/2应有总面积
≦1/2原晶粒面积
背面损伤面积应≦
1/5原晶粒面积
GaP产品8mil
背崩面积应≦1/3原晶粒面积
TK508SRT,UYT
背崩面积应≦1/2原晶粒面积

同一排晶粒排列歪斜需≦
1颗晶粒
相邻之晶粒，排列不齐需≦
1/2晶粒
晶粒角度不正≦±
30°
晶粒倾倒≦2ea/sheet
晶粒间距自动用
PS不得超过
~
倍
晶粒宽，手动用
NS不得超过
~
倍晶粒宽
晶粒排列自动用
PS
空洞超过5ea×5ea应≦2处/sheet(含芯片外围有凹洞者)
空洞率应≦20%

A
B
MA
MA
MA
MA
b
a
图示缺点等级
MA
AMA
B
MA
MA
MA
MA
MA
MA
MA
MA
MA
1chip
MA
1/2chip
MA
MA
MI
~(PS)
~(NS)
5×5
MA
LED芯片来料检验规范
LED芯片来料检验规范
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LED芯片来料检验规范
补洞应单边每颗补齐，不得歪斜。
：分页面积最长距离应≦
检验项目说明

?分页面积最长距离应≦
?8milSR、NR分页面积最长距离应≦
≧
、次级品，可并片。
PS并片规格：
并片片数：应≦3片
每片间隔：14Mil以下应6+2mm
16Mil以上应7~9mm
单片数量：≦12Mil(每小片至少1000ea