LED芯片来料检验规范.doc

LED芯片来料检验规范
LED芯片来料检验规范
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LED芯片来料检验规范
LEDCHIPIQC检验规范
目的
。

自动用(PS)应≦1/5发光区面积
手动用(NS)A/B≦2/1
≦ 1/5电极面积
≦ 1/5原发光面积且刮伤宽度应
10μm/line
SR,DR,UR氧化层膜零散面积
一般规格(NX、NL、PX)应≦1/2原发光区面积
均匀性规格及自动用(PS)应≦1/5原发光区面积
(PD、ND、PM)
(金)线长度应 1/2电极长度

?正面伤害、暗伤面积应≦ 1/5单边长界限内
均匀性产品不得有暗伤
反面电极总面积需≧ 1/2应有总面积
≦ 1/2原晶粒面积
反面伤害面积应≦
1/5原晶粒面积
GaP产品8mil
背崩面积应≦1/3原晶粒面积
背崩面积应≦原晶粒面积

同一排晶粒排列倾斜需≦
1颗晶粒
相邻之晶粒，排列不齐需≦
1/2晶粒
晶粒角度不正≦±
30°
晶粒倾倒≦2ea/sheet
晶粒间距自动用
PS不得高出
~
倍
晶粒宽，手动用
NS不得高出
~
倍晶粒宽
晶粒排列自动用
PS
空洞高出5ea×5ea应≦2处/sheet(含芯片外面有凹洞者)
空洞率应≦20%

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A
B
MA
MA
MA
MA
b
a
图 示 缺点等级
MA
A MA
B
MA
MA
MA
MA
MA
MA
MA
MA
MA
1chip
MA
1/2chip
MA
MA
MI
~(PS)
~(NS)
5×5
MA
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补洞应单边每颗补齐，不得倾斜。
：分页面积最长距离应≦
检验项目 说 明

?分页面积最长距离应≦
?8milSR、NR分页面积最长距离应≦
TAPE边缘应≧